Struktur innerer Grenzflächen von (GaIn)(NAs)-Heterostrukturen und Eigenschaften von (GaIn)(NAs)-Laserdioden

Das Themengebiet der Arbeit war die Herstellung und Untersuchung von Halbleiterheterostrukturen und Laserbauelementen auf der Basis des neuartigen Materialsystems (GaIn)(NAs). Die Proben wurden mittels Metallorganischer Gasphasenepitaxie (MOVPE) unter Verwendung der Quellen Tertiärbuthylarsin (TBAs)...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Main Author: Nau, Siegfried
Contributors: Stolz, Wolfgang (Dr. habil) (Thesis advisor)
Format: Doctoral Thesis
Language:German
Published: Philipps-Universität Marburg 2004
Subjects:
Online Access:PDF Full Text
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!

Internet

PDF Full Text

Holdings details from
Call Number: urn:nbn:de:hebis:04-z2005-00841
Publication Date: 2005-04-07
Date of Acceptance: 2004-06-15
Downloads: 51 (2024), 131 (2023), 180 (2022), 246 (2021), 203 (2020), 320 (2019), 178 (2018)
License: https://rightsstatements.org/vocab/InC-NC/1.0/
Access URL: https://archiv.ub.uni-marburg.de/diss/z2005/0084
https://doi.org/10.17192/z2005.0084