0500 Oau
1100 2004
2050 ##0##urn:nbn:de:hebis:04-z2005-00841
2051 ##0##10.17192/z2005.0084
3000 Nau, Siegfried
4000 Struktur innerer Grenzflächen von (GaIn)(NAs)-Heterostrukturen und Eigenschaften von (GaIn)(NAs)-Laserdioden
4085 ##0##=s MB=u https://archiv.ub.uni-marburg.de/diss/z2005/0084=x H
5050 |530
5584 Laserdiode
5584 UDMHy
5584 VCSEL-Laser
5584 UDMHy
5584 Metastabilität
5584 Drei-Fünf-Halbleiter
5584 Gallium Indium Arsenide Nitride
5584 Gallium Indium Arsenid Nitrid
5584 Inhomogeneous strain
5584 Interior interfaces
5584 Lithographie <Halble
5584 (GaIn)(NAs)
5584 innere Grenzflächen
5584 Epitaxie
5584 Physik
5584 inhomogene Verspannung
5584 Galliumarsenid / Aluminiumarsenid / Mischkristall
5584 (GaIn)(NAs)
opus:1016