Struktur innerer Grenzflächen von (GaIn)(NAs)-Heterostrukturen und Eigenschaften von (GaIn)(NAs)-Laserdioden

Struktur innerer Grenzflächen von (GaIn)(NAs)-Heterostrukturen und Eigenschaften von (GaIn)(NAs)-Laserdioden

Das Themengebiet der Arbeit war die Herstellung und Untersuchung von Halbleiterheterostrukturen und Laserbauelementen auf der Basis des neuartigen Materialsystems (GaIn)(NAs). Die Proben wurden mittels Metallorganischer Gasphasenepitaxie (MOVPE) unter Verwendung der Quellen Tertiärbuthylarsin (TBAs)...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser: Nau, Siegfried
Beteiligte: Stolz, Wolfgang (Dr. habil) (BetreuerIn (Doktorarbeit))
Format: Dissertation
Sprache:Deutsch
Veröffentlicht: Philipps-Universität Marburg 2004
Schlagworte:
Laserdiode
UDMHy
VCSEL-Laser
Metastabilität
Drei-Fünf-Halbleiter
Gallium Indium Arsenide Nitride
Gallium Indium Arsenid Nitrid
Inhomogeneous strain
Interior interfaces
Lithographie <Halble
(GaIn)(NAs)
innere Grenzflächen
Epitaxie
Physik
inhomogene Verspannung
Galliumarsenid / Aluminiumarsenid / Mischkristall
Physics
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1. Optimierung Ga(NAsP)-basierender Heterostrukturen auf Si-Substrat für Laseranwendungen

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