Stickstoffinduzierte Bandbildung in den metastabilen Halbleitersystemen Ga(N,As) und (Ga,In)(N,As)

In der vorliegenden Arbeit wurden grundlegende physikalische Eigenschaften der metastabilen Halbleitersysteme Ga(N,As) und (Ga,In)(N,As) vorgestellt. Es werden die großen Veränderungen der optischen Eigenschaften durch den Einbau von Stickstoff beschrieben. Durch den großen Unterschied in Elektroneg...

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Bibliographic Details

Main Author:	Grüning, Heiko
Contributors:	Heimbrodt, Wolfram (Prof. Dr.) (Thesis advisor)
Format:	Doctoral Thesis
Language:	German
Published:	Philipps-Universität Marburg 2004
Subjects:	Quantum wells GaNAs Bandformation Physik Optische Spektroskopie III-V semiconductors Störstelle Galliumarsenid-Bauelement Semiconductors GaInNAs Halbleiterphysik Bandbildung Stickstoff Physics
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