0500 Oau
1100 2004
2050 ##0##urn:nbn:de:hebis:04-z1998-00012
2051 ##0##10.17192/z1998.0001
3000 Will, Stephan
4000 Herstellung und elektronische Eigenschaften hydrogenierter amorpher Siliziumfilme, abgeschieden unter extremen Depositionsbedingungen
4085 ##0##=s MB=u https://archiv.ub.uni-marburg.de/diss/z1998/0001=x H
5050 |530
5584 Dünne Schicht , PECVD-Verfahren
5584 Armorpher Halbleiter , Wasserstoff
5584 Physik
5584 Silicium
opus:660