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Titel: | Spektroskopie an Ge-basierten Halbleiterstrukturen auf Silizium |
Autor: | Kolata, Kolja |
Veröffentlicht: | 2010 |
URI: | https://archiv.ub.uni-marburg.de/ed/2011/0001 |
URN: | urn:nbn:de:hebis:04-ed2011-00012 |
DOI: | https://doi.org/10.17192/ed.2011.0001 |
DDC: | Physik |
Publikationsdatum: | 2010-12-02 |
Lizenz: | https://rightsstatements.org/vocab/InC-NC/1.0/ |
Schlagwörter: |
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Optischer Gewin, Optical Gain, Mehrphotonen-Spektroskopie, Germanium, Siliziumphotonik, Nichtlineare Spektroskopie, Anrege-Abfrage-Spektroskopie, Germanium, Infrarotspektroskopie, Optische Spektroskopie, Siliconphotonics, Spektroskopie, Hole-Relaxation, AC Stark Effect |
Zusammenfassung:
Anrege-Abfrage-Spektroskopie an Germanium Halbleiternanostrukturen auf Silizium. Es konnte ein gigantischer AC Stark Effekt in Germanium beobachtet werden, der nach 150fs abgeklungen ist. Außerdem wurde die Abkühlung des Lochsystems auf Gittertemperatur analysiert. Die Abkühlung erfolgt im Vergleich zu direkten Halbleitern um eine Größenordnung langsamer. Abschließend konnte optische Verstärkung in dotiertem Germanium nachgewiesen werden.
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