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Zusammenfassung:
Das Ziel dieser Arbeit war die Untersuchung eines lösungsbasierten Herstellungsprozesses von Metallsulfid-Halbleitermaterialien wie MoS2 durch thermische Zersetzung geeigneter Präkursoren. Dithiocarbamate und Trithiocarbonate zeigen sowohl als anionischer Baustein in ionischen Flüssigkeiten (IL), als auch als Liganden in Metall-Komplexen großes Potential bei der Extraktion von Metallen sowie der Synthese von Halbleitermaterialien. Eine neue Darstellungsweise für ionische Flüssigkeiten mit Dithiocarbamat- bzw. Trithiocarbonat wurde entwickelt, die hohe Ausbeuten und Reinheit liefert. Des weiteren wurden Indium- und Galliumkomplexe mit Dithiocarbamat-Liganden primärer und sekundärer Amine dargestellt und hinsichtlich ihrer thermischen Zersetzung untersucht. Weiterhin wurden MoS2-Präkursoren auf Basis von Tetrathiomolybdaten sowie schwefelreichen Molybdänkomplexen identifiziert, synthetisiert und charakterisiert. Geeignete MoS2-Präkursoren wurden in Beschichtungsexperimenten mittels Spincoating auf Si-Wafer aufgetragen, thermisch zersetzt und auf die Bildung von MoS2 untersucht.

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