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Titel:Über Interpnictogenverbindungen und MOVPE-Präkursoren sowie deren Reaktionsverhalten gegenüber Trielen
Autor:Ringler, Benjamin
Weitere Beteiligte: Hänisch, Carsten von (Prof. Dr.)
Veröffentlicht:2018
URI:https://archiv.ub.uni-marburg.de/diss/z2018/0220
URN: urn:nbn:de:hebis:04-z2018-02204
DOI: https://doi.org/10.17192/z2018.0220
DDC: Chemie
Titel (trans.):Interpnictogen Compounds, MOVPE Precursors and their Reaction Behaviour Towards Triels
Publikationsdatum:2018-08-01
Lizenz:https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/4.0

Dokument

Schlagwörter:
aluminium, gallium, chemistry, Pnictogene, Interpnictogene, arsenic, Phosphor, inorganic, pnictogens, antimony, Antimon, MOCVD, Indium, interpnictogens, boron, Aluminium, MOV, Arsen, Stickstoff, nitrogen, Präkursor, Chemie, Bismut, bismuth, indium, MOVPE, Anorganik, Bor, precursor, Gallium, phosphorus

Zusammenfassung:
Diese Arbeit befasst sich mit der Synthese sowie Charakterisierung von Molekülen, die aus mehreren, benachbarten Elementen der Stickstoffgruppe aufgebaut sind. Dreigliedrige, tbutylsubstituierte Interpnictogenketten mit der Zusammensetzung As2P, Sb2P, AsPSb und auch SbPBi werden ausgehend von tBu2ECl (E = As, Sb) und tBuPH2 durch das Wechselspiel von Salzeliminierungs- und Metallierungsreaktionen erhalten. Durch Reaktion von alkylsubstituierten Aminen mit tBuECl2 (E = As, Sb) sind Verbindungen des Typs tBuE(Cl)NHR (R = tBu, iPr) zugänglich. Eine weitere Substitution am Pnictogenatom gelingt mit Lithiumamiden. Es werden Verbindungen der Klasse tBuE(NHR)(NHR‘) (R/R‘ = tBu, iPr) erhalten. Metallierungsreaktionen führen anschließend zu cisoiden und transoiden, viersprossigen, leiterartigen Grundgerüsten bestehend aus N-, Li- und As- bzw. Sb-Atomen in der Molekülstruktur im Kristall. Des Weiteren ist der Zugang zu Interpnictogenketten mit der Zusammensetzung N-As-P, As-N-As sowie As-N-Sb beschrieben. Die binären Gruppe 15-Verbindungen tBu2ENH2 (E = As, Sb) reagieren mit Gruppe 13-Organylen abhängig vom Grad des sterischen Anspruches zu H- und tBu2E-substituierten N2M2-Cyclen (M = Al, Ga), fünf- bzw. siebengliedrigen Ketten oder klassischen Lewis-Säure-Base-Addukten. Die Arsen-Stickstoffverbindung tBu2AsNH2 eignet sich besonders als neuartiger binärer Gruppe 15-Einquellenpräkursor für die metallorganische Gasphasenepitaxie (MOVPE). Damit wird ein 10-80-fach effizienterer N-Einbau in Ga(NAs)- bzw. (InGa)(NAs)-Schichten im Vergleich zum kommerziell verfügbaren Präkursor 1,1-Dimethylhydrazin erzielt. Die Synthese im großen Maßstab sowie die Verbesserung der Reinheit wird in dieser Arbeit beschrieben, damit Schichten erzeugt werden, die in Mehrfachsolarzellen Anwendung finden.


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