Dokument

Zusammenfassung:
Die Suche nach innovativen, neuen Materialien für elektronische Anwendungen ist ein starker Antrieb für die Forschung in Chemie und Physik heutzutage. Viele solcher Materialien werden auf dem Gebiet der Oxide und Chalkogenide der vierten und fünften Periode gefunden. Materialien bestehend aus Chalkogeniden werden intensiv untersucht für sowohl industrielle Anwendungen wie auch in der Grundlagenforschung. CuInxGa(1-x)Se2 (CIGS) wird heutzutage in vielen Lehrbüchern, als eine der bedeutendsten Verbindungen, für die Veränderbarkeit der Bandlücke in Abhängigkeit des Gallium-Anteils erwähnt. CIGS und verschiedenen Abänderungen davon sind für eine Effizienz von mehr als 20% in der Photovoltaik bekannt. In den letzten Jahrzehnten haben poröse Chalkogenid-Strukturen immer mehr Aufmerksamkeit erregt. Durch die Kombination aus Porosität und halbleitenden Eigenschaften sind Chalkogenide ein interessanter Kandidat für elektronische Gerätschaften, Photokatalysoren, schnelle ionische Leiter und Ionenaustauscher. Die spezifischen Funktionsweisen von porösen Chalkogenid-Materialien hängt vor allem von der Gitterstruktur ab, welche eng mit der Zusammensetzung und Topologie des Materials verbunden ist. Poröse Chalkogenid-Materialien wurden typischerweise in einer sogenannten „one-pot“ solvothermischen Synthese hergestellt, bei der die Zusammensetzung und Topologie des entstehenden Materials durch das Element, welches für die Synthese benutzt wurde, bestimmt wurde. Besser kontrollierbare, stufenweise Reaktionen, welche die Umwandlungen von identifizierbaren Phasen beinhalten, um geschickt die gewünschten Eigenschaften zu erlangen, sind eher selten vertreten. Die meisten dieser Methoden beruhen auf Dimerisierung oder Polymerisierung von ungesättigten Molekülen oder auf dem Austausch einzelner Moleküle in dem porösen Material. Dahingegen sind Methoden die das Aufbrechen und die Reformation von Bindungen in anorganischen Festkörpern beinhalten eher selten, da durch diesen Rekonstruktionsprozess häufig die Kristallinität abnimmt. Andere Chalkogenid-Verbindungen beinhalten schwere Metalle, meistens Gold oder Bismut, seltener Blei oder Quecksilber. Die Quecksilberchemie zeichnet sich durch eine große Vielfalt von möglichen Strukturen aus. Die Arbeit mit Quecksilber ist jedoch eher selten, da Quecksilber sehr giftig ist. Während organische Verbindungen aus Quecksilber häufig unbeständig sind und dadurch leicht eingeatmet oder durch die Haut absorbiert werden können, sind die meisten anorganischen Verbindungen Salzen ähnlich. Dies führt dazu, dass sie relativ leicht zu handhaben sind. Zudem ist die Kombination aus Quecksilber und Selen dafür bekannt, dass sie der Toxizität entgegenwirkt. Vom physikalischen Standpunkt aus gesehen bedingt die Anwesenheit von Atomen aus sehr schweren Elementen besondere Materialeigenschaften. Diese sind besonders im Hinblick auf thermoelektrische und opto-elektronische Anwendungen in Sensoren zu beachten, deren Eigenschaften durch die Verwendung von Elementen, die aus einer Gruppe von Verbindungen mit ähnlicher Struktur stammen, verändert werden können. Um die thermische Leitfähigkeit zu senken, ist der Zusatz einer salzähnlichen Charakteristik wünschenswert. Durch den Austausch von einem leichteren Chalkogen durch ein schwereres, in dem in dieser Arbeit behandelten Fall von Selen durch das schwerere Chalkogen Tellur, kann die elektrische Leitfähigkeit einer Verbindung erhöht und die Wärmeleitfähigkeit gesenkt werden sollte. Durch die Veränderung der Metallzusammensetzung in zum Beispiel CIGS kann die Bandlücke zwischen 1,0 und 1,7 eV variiert werden. Ändert man jedoch das Chalkogen oder mischt verschiedene Chalkogenide bei, kann eine noch größere Veränderung der elektronischen Struktur festgestellt werden. Es ist allgemein verstanden, dass durch den Austausch von Schwefel durch Selen oder Tellur die Bandlücke kleiner wird. Eine weitere, in der heutigen Zeit intensiv untersuchte Gruppe der Chalkogenid-Verbindungen sind die Übergangsmetall-Dichalkogenide (TMDs, engl.: „transition-metal dichalcogenides“). Zu dieser Gruppe zählen Materialien, wie zum Beispiel Molybdändisulfid (MoS2), Molybdändiselenid (MoSe2), Wolframdisulfid (WS2) und Wolframdiselenid (WSe2). Die älteste bekannte Probe aus MoS2 ist über 2,9 Millionen Jahre alt. Sie weisen eine sehr einfache Struktur auf und decken ein weites Spektrum an Eigenschaften ab, welches von Isolatoren über Halbleiter bis hin zu Leitern reicht. In letzter Zeit ist das Interesse an TMDs stark angestiegen, da sie als Monolagen, auch 2D Materialien genannt, außerordentliche optische und elektronische Eigenschaften besitzen. Als eine halbleitende Alternative zu Graphen zeigen TMDs vielversprechende Anwendungsmöglichkeiten in der Photonik, der Optoeletronik, der „Valleytronic“, bei Feldeffekt-Transistoren, Gas-Sensoren, mechanischen Resonatoren und Energiespeichergeräten. Die Bandstruktur von TMDs ändert sich drastisch, wenn man von einem Festkörper zu einer Monolage übergeht. Im Festkörper besitzen TMDs eine indirekte Bandlücke, während Monolage eine direkte Bandlücke aufweisen. Hier zeigt sich die wichtige Rolle der Bindung zwischen den einzelnen Lagen. Des Weiteren sind die elektrischen Eigenschaften von TMD Monolagen sehr sensitiv auf Änderungen in Temperatur, Druck und Verspannung. Im Jahre 1970 haben Consadori und Frindt erstmals Bilagen aus WSe2 durch mechanisches Exfolieren hergestellt. Heutzutage ist die sogenannte „scotch tape“-Methode die am häufigsten verwendete Methode um Monolagen von WSe2 aus dem Festkörper zu gewinnen. WSe2 Monolagen können aber auch durch chemische Exfolierung, chemische Dampfabscheidung (CVD), Metall-Organische chemische Dampfabscheidung (MOCVD), hydrothermische Exfolierung, flüssige Exfolierung und physikalische Dampfabscheidung hergestellt werden. Da der Großteil dieser Fabrikationstechniken jedoch keine perfekten Monolagen liefert, hat sich der Fokus der heutigen Forschung auf die Produktion von Monolagen mit einer möglichst hohen Qualität gelegt. Als weiteres interessantes Material wurden in der vorliegenden Arbeit Porphyrin-Derivate untersucht. Porphyrine haben sich in vielen Feldern der Chemie als besonders ausgewiesen. Diese Felder reichen von Oberflächenmodifikationen, zu molekularer Elektronik bis hin zu Photovoltaik. Neben ihrem natürlichen Vorkommen, kommen Porphyrine in der künstlichen Photosynthese, in der Photokathalyse, in Sensoren und in medizinischen Anwendungen zum Einsatz. Eine weniger bekannte Unterklasse sind Porphyrine, welche N-H Protonierungen an allen vier Pyrrole Ringen besitzen. Diese Porphyrin Diacide zeigen eine Verzerrung der Porphyrin Skelette und eine Verschiebung in den elektronischen Eigenschaften hin zu einem akzeptorartigen Verhalten. Dieses Verhalten kann dazu genutzt werden, verschiedene organische Donator-Akzeptor-Materialien zu konstruieren, welche Photoleitfähigkeit zeigen und als Prototypen für photovoltaische Anwendungen getestet werden können. Die grundlegenden strukturellen und photophysikalischen Eigenschaften von Porphyrinderivaten sind gut erforscht. Sie wurden jedoch selten dazu benutzt, um kristalline Hybridmaterialien bestehend aus organischen und anorganischen Komponenten zu bilden. Typischerweise kombinieren organisch-anorganische Hybridmaterialien die leichte Modifizierbarkeit von der organischen Komponente mit der Stabilität und den verschiedenen spezifischen Eigenschaften der anorganischen Komponente. So können Materialien entstehen, die völlig neue Eigenschaften besitzen. Hybridmaterialien, die auf Porphyrinen und ihren Metallkomplexen basieren, wurden mit Erfolg in verschieden Gebieten angewandt. In dieser Arbeit werden einerseits verschiedene neue dreidimensionale Chalkogenid-Verbindungen und Porphyrin-Derivate mittels Photostrom-Spektroskopie untersucht (Kapitel 2). Photostrom-Messungen können dabei Auskunft über die Leitfähigkeit eines Materials unter Beleuchtung geben. Bei Materialien mit Bandlücke können durch Photostrom-Messungen auch Informationen über die energetische Position dieser Bandlücke gewonnen werden. Andererseits wurde in der vorliegenden Arbeit der Einfluss des zugrunde liegenden Substrats auf die zweidimensionale Chalkogenid-Übergangsmetall-Verbindung WSe2 mittels Photolumineszenzmessungen untersucht (Kapitel 3). Hierbei können die exzitonischen Moden mittels zeitintegrierter und zeitaufgelöster Spektroskopie erfasst und das Abklingverhalten der Emission für unterschiedliche Substrate verglichen werden.

Bibliographie / References

1. M. O. Senge, "Conformational Study of 5,10,15,20-Tetraalkyl-22H+,24H+-Porphyrindiium Salts (Dication Salts)", Z. Naturforsch., B: J. Chem. Sci. 2000, 55, 336, Bd. 55, p. 336, 2000.
2. J. Hafner, "Ab-initio simulations of materials using VASP: Density-functional theory and beyond", J. Comput. Chem., Bd. 29, p. 2044, 2008.
3. S. Dehnen und M. Melullis, "A coordination chemistry approach towards ternary M/14/16 anions", 6. Literaturverzeichnis Coordination chemistry reviews, Bd. 251.9, p. 1259, 2007.
4. Q. Yue, Z. Shao, S. Chang und J. Li, "Adsortion of Gas molecules on monolayer MoS2 and effects of applied electric field", Nanoscale Res. Lett, Bd. 8, p. 425, 2013.
5. M. G. M. Kanatzidis, "Alkali-Metal Polychalcogenides as Reagents and Solvents for the Synthesis of New Chalcogenide 395 Materials.", Chem. Mater., Bd. 2, p. 353, 1990.
6. C. D. Morris, H. Li, H. Jin, C. D. Malliakas, J. A. Peters, P. N. Trikalitis, A. J. Freeman, B. W. Wessels und M. G. Kanatzidis, "Cs2MIIMIV3Q8 (Q = S, Se, Te): An Extensive Family of Layered Semiconductors with Diverse Band Gaps.", Chem. Mater., Bd. 25, p. 3344, 2013.
7. W. Jensen, "A note on the term "chalcogen"", J. Chem., Bd. 74, p. 1063, 1997.
8. H. Nikol und A. Vogler, "A.Photoluminescence of Antimony(III) and Bismuth(III) Chloride Complexes in Solution", J. Am. Chem. Soc. , Bd. 113, p. 8988, 1991.
9. H. B. Bebb und R. A. Chapman, "Application of quantum defect techniques to photoionization of impurities in semiconductors", Journal of Physics and Chemistry of Solids, Bd. 28, p. 2087, 1967.
10. L. Hammarström und S. Hammes-Schiffer, "Artificial Photosynthesis and Solar Fuels", Acc. Chem. Res. , Bd. 42, p. 1859, 2009.
11. W. Fischer, "A second note on the term "chalcogen"", J. Chem. , Bd. 78, p. 1333, 2001.
12. K. Mak, C. Lee, J. Hone, J. Shan und T. F. Heinz, "Atomically thin MoS2: a new direct-gap semiconductor", Phys. Rev. Lett., Bd. 105, p. 136805, 2010.
13. P. Batson, "Atomic and electronic structure of a dissociated 60° misfit dislocation in GexSi(1-x)", Phys. Rev. Lett., Bd. 83, p. 4409, 1999.
14. K. Xu, Z. Wang, X. Du, M. Safdar, Jiang, C. und J. He, " Atomic-layer triangular WSe2 sheets: synthesis and layer-dependent photoluminescence property", Nanotechnology, Bd. 24, p. 1, 2013.
15. S. M. Islam, J. Im, A. J. Freeman und M. G. Kanatzidis, "Ba2HgS5 − A Molecular Trisulfide Salt with Dumbbell-like (HgS2)2-Ions.", Inorg. Chem., Bd. 53, p. 4698, 2014.
16. K. Kim et al., "Band Alignment in WSe2 Graphene Heterostructures", ACS Nano, Bd. 9, p. 4527, 2015.
17. D. Kleinman und R. Miller, " Band-Gap Renormalization in Semiconductor Quantum Wells Containing Carriers", Phys. Rev. B , Bd. 32, p. 2266, 1985.
18. L. Mattheiss, "Band structures of transition-metal-dichalcogenide layer compounds", Phys. Rev. B, Bd. 8, p. 3719, 1973.
19. M. Kastner, "Bonding bands, lone-pair bands, and impurity states in chalcogenide semiconductors", Phys. Rev. Lett., Bd. 37, p. 355, 1972.
20. J. Li, N. Medhekar und V. Shenoy, "Bonding charge density and ultimate strength of monolayer transition metal dichalcogenides", J. Phys. Chem. C, Bd. 117, p. 15842, 2013.
21. Q. Zhang, I. Chung, J. I. Jang, J. B. Ketterson und M. Kanatzidis, "Chalcogenide Chemistry in Ionic Liquids: Nonlinear Optical Wave-Mixing Properties of the Double-Cubane Compound [Sb7S8Br2]- (AlCl4)3.", J. Am. Chem. Soc., Bd. 131, p. 9896, 2009.
22. J. J. Concepcion, R. L. House, J. M. Papanikolas und T. J. Meyer, "Chemical Approaches to Artificial Photosynthesis", Proc. Natl. Acad. Sci. U. S. A., Bd. 109, p. 15560, 2012.
23. B. Wagner, N. Dehnhardt, M. Schmid, B. P. Klein, L. Ruppenthal, P. Müller, M. Zugermeier, J. M. Gottfried, S. Lippert, M. Halbich, A. Rahimi-Iman und J. Heine, "Color Change Effect in an Organic- Inorganic Hybrid Material Based on a Porphyrin Diacid", J. Phys. Chem. C, Bd. 120, p. 28363, 2016.
24. B. Wagner, N. Dehnhardt, M. Schmid, B. P. Klein, L. Ruppenthal, P. Müller, M. Zugermeier, J. M. Gottfried, S. Lippert, M. Halbich, A. Rahimi-Iman und J. Heine, "Color Change Effect in an Organic- Inorganic Hybrid Material Based on a Porphyrin Diacid," J. Phys. Chem. C, 120, 28363 (2016).
25. V. S. Chirvony, A. van Hoek, V. A. Galievsky, I. V. Sazanovich, T. J. Schaafsma und D. Holten, "Comparative Study of the Photophysical Properties of Nonplanar Tetraphenylporphyrin and Octaethylporphyrin Diacids", J. Phys. Chem.B, Bd. 104, p. 9909, 2000.
26. IUPAC, "Compendium of Chemical Terminology (the "Gold Book")", 2nd. ed., p. 7, 1997.
27. S. Su et al., " Controllable synthesis of band-gap-tunable and monolayer transition-metal dichalcogenide alloys, Frontiers in Energy Research", Nanoenergy Technologies and Materials , Bd. 2, p. 2, 2014.
28. Y. Zhang, Y. Zhang, Q. Ji, J. Ju, J. Shi, T.Gao, D. Ma, M. Liu, Y. Chen, X. Song, H.Y. Hwang, Y. Cui und Z. Liu, "Controlled Growth of High-Quality Monolayer WS 2 Layers on Sapphire and Imaging Its Grain Boundary", ACS Nano, Bd. 7, p. 8963, 2013.
29. Y. Lin, W. Massa und S. Dehnen, "Controlling the assembly of chalcogenide anions in ionic liquids: From binary Ge/Se through ternary Ge/Sn/Se to binary Sn/Se frameworks", Chemistry-A European Journal, Bd. 18, p. 13427, 2012.
30. K. Mak, K. He, J. Shan und T. Heinz, "Control of valley polarization in monolayer MoS2 by optical helicity", Nat. Nanotech. , Bd. 7, p. 494, 2012.
31. M. Ruck und F. Locherer, "Coordination chemistry of homoatomic ligands of bismuth, selenium and tellurium.", Coord. Chem. Rev., Bd. 285, p. 1, 2014.
32. D. Xiao, G. Liu, W. Feng, X. Xu und W. Yao, "Coupled spin and valley physics in monolayers of MoS and other group-VI dichalcogenides", Phys. Rev. Lett., Bd. 108, p. 196802, 2012.
33. S. Lin, C. S. Diercks, Y.-B. Zhang, N. Kornienko, E. M. Nichols, Y. Zhao, A. R. Paris, D. Kim, P. Yang und O. M. Yaghi, "Covalent Organic Frameworks Comprising Cobalt Porphyrins for Catalytic CO2 Reduction in Water", Science , Bd. 349, p. 1208, 2015.
34. F. Consadori und R. F. Frindt, "Crystal Size Effects on Exciton Absorption Spectrum of WSe2", Phys. Rev. B ., Bd. 2, p. 4893, 1970.
35. S. M. Isla, S. Vanishri, H. Li, C. C. Stoumpos, J. A. Peters, M. Sebastian, Z. Liu, S. Wang, A. S. Haynes, J. Im, A. J. Freeman, B. Wessels und M. G. Kanatzidis, "Cs2Hg3S4: A Low-Dimensional Direct Bandgap Semiconductor.", Chem. Mater., Bd. 27, p. 370, 2015.
36. C. Costentin, M. Robert und J.-M. Savéant, "Current Issues in Molecular Catalysis Illustrated by Iron Porphyrins as Catalysts of the CO2-to-CO Electrochemical Conversion", Acc. Chem. Res. , Bd. 48, p. 2996, 2015.
37. B. Lemke und D. Haneman, "Dangling bonds on silicon", Phys. Rev. B, Bd. 17, p. 1893, 1978.
38. K. O. Klepp, "Darstellung und Kristallstruktur von K2Sn2S5 und K2Sn2Se5", Z. Naturforsch, Bd. 47, p. 197, 1992.
39. C. E. Mortimer und U. Müller, "Chemie, Das Basiswissen der Chemie", Stuttgart: Georg Thieme Verlag, 2001.
40. A. Castellanos-Gomez, M. Buscema, H. S. J. van der Zant und G. Steele, "Deterministic transfer of two- dimensional materials by all-dry viscoelastic stamping", 2D Materials, Bd. 1, p. 011002, 2014.
41. Y. Lin, X. Ling, L. Yu, S. Huang, A. Hsu, Y.-H. Lee, J. Kong, M. Dresselhaus und T. Palacios , "Dielectric Screening of Excitons and Trions in Single-Layer MoS2", Nano Lett., Bd. 10, p. 5569, 2014.
42. K. Hao et al., "Direct measurement of exciton valley coherence in monolayer WSe2", Nat. Phys., Bd. 12, p. 277, 2016.
43. J. Warner, E. Margine, M. Mukai, A. Robertson, F. Giustino und A. Kirkland, "Dislocation-driven deformations in graphen", Science, Bd. 337, p. 209, 2012.
44. M. J. Drexler, R. Woscholski, S. Lippert, W. Stolz, A. Rahimi-Iman, and M. Koch, "Disturbing the coherent dynamics of an excitonic polarization with strong terahertz fields", Phys. Rev. B, 90, 195304 (2014)
45. C. K. Riley, E. A. Muller, B. E. Feldman, M. Colin, C. M. Cross, K. L. Van Aken, D. E. Johnston, Y. Lu, A. T. Johnson, J. C. de Paula und W. F. Smith, "Effects of O2, Xe, and Gating on the Photoconductivity and Persistent Photoconductivity of Porphyrin Nanorods", J. Phys. Chem. C, Bd. 114, p. 19227, 2010.
46. A. Rosa, G. Ricciardi, E. J. Baerends, A. Romeo und L. M. Scolaro, "Effects of Porphyrin Core Saddling, meso-Phenyl Twisting, and Counterions on the Optical Properties of meso-Tetraphenylporphyrin Diacids: The [H4TPP](X)2 (X = F, Cl, Br, I) Series as a Case", J. Phys. Chem. A , Bd. 107, p. 11468, 2003.
47. L. Su, Y. Yu, L. Cao und Y. Zhang, "Effects of substrate type and material-substrate bonding on high- temperature behavior of monolayer WS2", Nano Res., Bd. 8, pp. 2686-2697, 2015.
48. G. Kresse und J. Furthmüller, "Efficient iterative schemes for ab initio total-energy calculations using a plane-wave basis set", Phys. Rev. B , Bd. 54, p. 11169, 1996.
49. R. Zhang, V. Koutsos und R. Cheung, "Elastic properties of suspended multilayer WSe2", Appl. Phys. Lett. , Bd. 108, p. 042104, 2016.
50. K. Lee, H. Kim, M. Lotya, J. Coleman, G.-T. Kim und G. Duesberg, "Electrical Characteristics of Molybdenum Disulfide Flakes Produced by Liquid Exfoliation", Adv. Mater. , Bd. 23, p. 4178, 2011.
51. K. L. Seyler et al., "Electrical Control of Second-Harmonic Generation in a WSe2 Monolayer Transistor", Nat. Nanotech., Bd. 10, p. 407, 2015.
52. W. Yang et al., "Electrically Tunable Valley-Light Emitting Diode (vLED) Based on CVD-Grown Monolayer WS2.", Nano Lett. , Bd. 16, p. 1560, 2016.
53. R. Cheng et al., "Electroluminescence and Photocurrent Generation from Atomically Sharp WSe2 /MoS2 Heterojunction p−n Diodes", Nano Lett., Bd. 14, p. 5590, 2014.
54. R. Bube, "Electronic properties of crystalline solids", New York: Academic Press, 1974.
55. T. Li und G. Galli, "Electronic properties of MoS2 nanoparticles", J. Phys. Chem. C, Bd. 111, p. 16192, 2007.
56. R. Roldán, J. Silva-Guillén, M. López-Sancho, F. Guinea, E. Cappelluti und P. Ordejón, "Electronic properties of single-layer and multilayer transition metal dichalcogenides MX (M = Mo, W and X = S, Se)", Ann. Phys. , Bd. 526, p. 347, 2014.
57. K. Kośmider und J. Fernandez-Rossier, "Electronic properties of the MoS2-WS2 heterojunction", Phys. Rev. B , Bd. 87, p. 075451, 2013.
58. Q. H. Wang, K. Kalantar-Zadeh, A. Kis, J. N. Coleman und M. S. Strano, "Electronics and optoelectronics of two-dimensional transition metal dichalcogenides", Nat. Nanotech. , Bd. 7, pp. 699-712, 2012.
59. W. Zhao, R. Ribeiro und G. Eda, "Electronic structure and optical signatures of semiconducting transition metal dichalcogenide nanosheets.", Acc. Chem. Res., Bd. 48, p. 91, 2015.
60. E. Kadantsev und P. Hawrylak, "Electronic structure of a single MoS2 monolayer", Solid State Commun, Bd. 152, p. 909, 2012.
61. G. Liu, D. Xiao, Y. Yao, X. Xu und W. Yao, "Electronic structures and theoretical modeling of two- dimensional group-VIB transition metal dichalcogenides", Chem. Soc. Rev., Bd. 44, p. 2643, 2015.
62. A. Splendiani, L. Sun, Y. Zhang, T. Li, J. Kim, C. Cim, G. Galli und F. Wang, "Emerging photoluminescence in monolayer MoS", Nano Lett., Bd. 10, p. 1271, 2010.
63. Y. Yu, Y. Yu, C. Xu, Y.-Q. Cai, L. Su, Y. Zhang, Y.-W. Zhang, K. Gundogdu und L. Cao, "Engineering Substrate Interactions for High Luminescence Efficiency of Transition-Metal Dichalcogenide Monolayers", Adv. Funct. Mater., Bd. 26, p. 4733, 2016.
64. G. Rubio-Bollinger, R. Guerrero, D. P. de Lara, J. Quereda, L. Vaquero-Garzon, N. Agraït, R. Bratschitsch und A. Castellanos-Gomez, "Enhanced Visibility of MoS2, MoSe2, WSe2 and Black-Phosphorus: Making Optical Identification of 2D Semiconductors Easier", Electronics, Bd. 4, pp. 847-856, 2015.
65. W. Zhao, Z. Ghorannevis, L. Chu, M. Toh, C. Kloc, P. Tan und G. Eda, "Evolution of electronic structure in atomically thin sheets of WS and WSe", ACS Nano, Bd. 7, p. 791, 2012.
66. T. Godde, D. Schmidt, J. Schmutzler, M. Aßmann, J. Debus, F. Withers, E. M. Alexeev, O. D. Pozo- Zamudio, O. V. Skrypka, K. S. Novoselov, M. Bayer und A. I. Tartakovskii, "Exciton and trion dynamics in atomically thin MoSe2 and WSe2: Effect of localization", Phys. Rev. B, Bd. 94, p. 165301, 2016.
67. A. Arora, K. Nogajewski, M. Molas, M. Koperski und M. Potemski, "Exciton band structure in layered MoSe2 : from a monolayer to the bulk limit", Nanoscale , Bd. 7, p. 20769, 2015.
68. C. Daniel, L. M. Herz, C. Silva, F. J. M. Hoeben, P. Jonkheijm, A. P. H. J. Schenning und E. W. Meijer, " Exciton bimolecular annihilation dynamics in supramolecular nanostructures of conjugated oligomers", Phys. Rev. B , Bd. 68, p. 235212, 2003.
69. A. Chernikov, T. C. Berkelbach, H. M. Hill, A. Rigosi, Y. Li, O. Burak Aslan, D. R. Reichman, M. S. Hybertsen und T. F. Heinz, "Exciton Binding Energy and Nonhydrogenic Rydberg Series in Monolayer WS2", Phys. Rev. Lett., Bd. 113, p. 076802, 2014.
70. A. Thilagam, "Exciton complexes in low dimensional transition metal dichalcogenides", J. Appl. Phys. , Bd. 116, p. 053523, 2014.
71. S. Sim, J. Park, J. Song, C. In, Y. Lee, H. Kim und H. Choi, "Exciton dynamics in atomically thin MoS : interexcitonic interaction and broadening kinetics", Phys. Rev. B , Bd. 88, p. 075434, 2013.
72. H. Shi, R. Yan, S. Bertolazzi, J. Brivio, B. Gao, A. Kis, D. Jena, H. Xing und L. Huang, "Exciton dynamics in suspended monolayer and few-layer MoS 2D crystals", ACS Nano , Bd. 7, p. 1072, 2013.
73. G. Wang, X. Marie, L. Bouet, M. Vidal, A. Balocchi, T. Amand, D. Lagarde und B. Urbaszek, "Exciton dynamics in WSe2 bilayers", Appl. Phys. Lett. , Bd. 105, p. 182105, 2014.
74. N. Kumar, Q. Cui, F. Ceballos, D. He, Y. Wang und H. Zhao, "Exciton-exciton annihilation in MoSe2 monolayers", Phys. Rev. B, Bd. 89, p. 125427, 2014.
75. A. Arora, M. Koperski, K. Nogajewski, J. Marcus, C. Faugeras und M. Potemski, "Excitonic resonances in thin films of WSe2: from monolayer to bulk material", Nanoscale, Bd. 7, p. 10421, 2015.
76. X. He, "Excitons in anisotropic solids: the model of fractional-dimensional space", Phys. Rev. B, Bd. 43, p. 2063, 1991.
77. G. Scholes und G. Rumbles, "Excitons in nanoscale systems", Nat. Mater, Bd. 5, p. 683, 2006.
78. B. Evans und P. Young, "Exciton spectra in thin crystals: the diamagnetic effect", Proc. Phys. Soc. , Bd. 91, p. 475, 1967.
79. K. He, C. Poole, K. F. Mak und J. Shan, "Experimental Demonstration of Continuous Electronic Structure Tuning via Strain in Atomically Thin MoS2", Nano Lett., Bd. 13, p. 2931, 2013.
80. X. X. Zhang, Y. You, S. Y. F. Zhao und T. F. Heinz, "Experimental Evidence for Dark Excitons in Monolayer WSe2", Phys. Rev. Lett. , Bd. 115, p. 257403, 2015.
81. W. Demtröder, "Experimentalphysik 2", Berlin Heidelberg New York: Springer, 2006.
82. H. Gutiérrez, N. Perea-López, A. Elías, A. Berkdemir, B. Wang, R. Lv, F. López-Urías, V. Crespi, H. Terrones und M. Terrones, "Extraordinary room-temperature photoluminescence in triangular WS monolayers", Nano Lett. , Bd. 13, p. 3447, 2013.
83. C. Janisch, Y. Wang, D. Ma, N. Mehta, A. L. Elías, N. Perea-López, M. Terrones, V. Crespi und Z. Liua, "Extraordinary Second Harmonic Generation in Tungsten Disulfide Monolayers", Scientific reports, Bd. 4, 2014.
84. M. Bernardi, M. Palummo und J. Grossman, "Extraordinary sunlight absorption and one nanometer thick photovoltaics using two-dimensional monolayer materials", Nano Lett. , Bd. 13, p. 3664, 2013.
85. S. Hunklinger, "Festkörperphyik", München: Oldenbourg Wissenschaftsverlag GmbH, 2007.
86. T. Pham, A. Gibb, Z. Li, S. Gilbert, C. Song, S. Louie und A. Zettl, "Formation and Dynamics of Electron- Irradiation-Induced Defects in Hexagonal Boron Nitride at Elevated Temperatures", NANO Letters, Bd. 16, pp. 7142-7147, 2016.
87. P. Gómez-Romero und C. Sanchez, "Functional Hybrid Materials", Weinheim: Wiley-VCH Verlag, 2006.
88. Z. Zhu, Y. Cheng und U. Schwingenschlögl, "Giant spin-orbit-induced spin splitting in two-dimensional transition-metal dichalcogenide semicondurctors", Phys. Rev. B, Bd. 84, p. 153402, 2011.
89. S. Singh, A. Aggarwal, N. V. S. D. K. Bhupathiraju, G. Arianna, K. Tiwari und C. M. Drain, "Glycosylated Porphyrins, Phthalocyanines, and Other Porphyrinoids for Diagnostics and Therapeutics", Chem. Rev., Bd. 115, p. 10261, 2015.
90. A. M. van der Zande, P. Y. Huang, D. A. Chenet, T. C. Berkelbach, Y. You, G.-H. Lee, T. F. Heinz, D. R. Reichman, D. A. Muller und J. C. Hone, "Grains and grain boundaries in highly crystalline monolayer molybdenum disulphide", Nat. Mat. , Bd. 12, p. 554, 2013.
91. Q. Feng et al., "Growth of Large-Area 2D MoS2(1− x )Se2x Semiconductor Alloys," Adv. Mater. , Bd. 26, p. 2648, 2014.
92. S. Li et al., "Halide-assisted atmospheric pressure growth of large WSe2 and WS2 monolayer crystal", Applied Materials Today, Bd. 1, p. 60, 2015.
93. K. M. Kadish, K. M. Smith und R. Guilard, "Handbook of Porphyrin Science: With Applications to Chemistry, Physics, Materials Science, Engineering, Biology, and Medicine", World Scientific: Singapore, p. 1-35, 2010.
94. E. Steinnes, "Heavy Metals in Soils in Environmental Pollution", 3rd Edition, Vol. 22, pp 411: Springer, 2013.
95. C. J. Reedy und B. R. Gibney, "Heme Protein Assemblies", Chem. Rev. , Bd. 104, p. 617, 2004.
96. S. Das, M. Dubey und A. Roelofs, "High gain, low noise, fully complementary logic inverter based on bi-layer WSe2 field effect transistors", Appl. Phys. Lett. , Bd. 105, p. 083511, 2014.
97. S. M. Eichfeld et al., " Highly Scalable, Atomically Thin WSe2 Grown via Metal Organic Chemical Vapor Deposition", ACS Nano , Bd. 9, p. 2080, 2015.
98. N. Morell, A. Reserbat-Plantey, I. Tsioutsios, K. G. Schädler, F. Dubin, F. H. L. Koppens und A. Bachtold, "High QualityFactor Mechanical Resonators Based on WSe2 Monolayers", Nano Lett., Bd. 16, p. 5102−5108, 2016.
99. P. Vaqueiro, "Hybrid materials through linkage of chalcogenide tetrahedral clusters", Dalton Transactions , Bd. 39, p. 5965, 2010.
100. Y. Hajati, T. Blom, S. Jafri, S. Haldar, S. Bhandray, M. Shoushtari, O. Eriksson, B. Sanyal und K. Leifer, "Improved gas sensing activity in structurally defected bilayer graphene", Nanotechnology, Bd. 23, p. 505501, 2012.
101. E. A. I. Axtell, Y. Park, K. Chondroudis und M. G. Kanatzidis, "Incorporation of A2Q into HgQ and Dimensional Reduction to A2Hg3Q4 and A2Hg6Q7 (A = K, Rb, Cs; Q = S, Se). Access of Li Ions in A2Hg6Q7 through Topotactic Ion-Exchange.", J. Am. Chem. Soc., Bd. 120, p. 124, 1998.
102. J. Lu, H. Liu, E. S. Tok und C. Sow, "Interactions between lasers and two-dimensional transition metal dichalcogenides", Chem. Soc. Rev. , Bd. 56, p. 2494, 2016.
103. W. Zhou, X. Zou, S. Najmaei, Z. Liu, Y. Shi, J. Kong, J. Lou, P. Ajayan, B. Yakobson und J. Idrobo, "Intrinsic structural defects in monolayer molybdenum disulfide", Nano Lett., Bd. 106, p. 173106, 2012.
104. M. Dyakonov, "Introduction to spin physics in semiconductors", Phys. E, Bd. 35, p. 246, 2006.
105. D. Freudenmann, S. Wolf, M. Wolff und C. Feldmann, "Ionische Flüssigkeiten-neue Perspektiven für die anorganische Synthesechemie?", Angewandte Chemie, Bd. 123, p. 11244, 2011.
106. M. Melnik, "Isomers in the chemistry of mercury coordination compounds.", Cent. Eur. J. Chem., Bd. 8, p. 469, 2010.
107. G. Thiele, S. Lippert, F. Fahrnbauer, P. Bron, O. Oeckler, A. Rahimi-Iman, M. Koch, B. Roling und S. Dehnen, "K2Hg2Se3: Large-Scale Synthesis of a Photoconductor Material Prototype with a Columnar Polyanionic Substructure", Chemistry of Materials, Bd. 27, p. 4114, 2015.
108. G. Thiele, S. Lippert, F. Fahrnbauer, P. Bron, O. Oeckler, A. Rahimi-Iman, M. Koch, B. Roling und S. Dehnen, "K2Hg2Se3: Large-Scale Synthesis of a Photoconductor Material Prototype with a Columnar Polyanionic Substructure," Chemistry of Materials,. 27, 4114 (2015).
109. A. Kormányos, G. Burkard, M. Gmitra, J. Fabian, V. Zólyomi, N. Drummond und V. Falko, "kp theory for two-dimensional transition metal dichalcogenide semiconductors", 2D Mater., Bd. 2, p. 022001, 2015.
110. J.-K. Huang, J. Pu, C.-L. Hsu, M.-H. Chiu, Z.-Y. Juang, Y.-H. Chang, W.-H. Chang, Y. Iwasa, T. Takenobu und L.-J. Li, "Large-Area Synthesis of Highly Crystalline WSe2 Monolayers and Device Applications", ACS Nano ., Bd. 8, p. 923-930, 2014.
111. J. Huang et al., "Large-Area Synthesis of Highly Crystalline WSe2 Monolayers and Device Applications", ACS Nano , Bd. 8, p. 923, 2014.
112. P. Browning, "Large-area synthesis of WSe2 from WO3 by selenium-oxygen ion exchange", 2D Mater. , Bd. 2, p. 014003, 2015.
113. A. Ramasubramaniam, "Large excitonic effects in monolayers of molybdenum and tungsten dichalcogenides", Phys. Rev. B , Bd. 86, p. 115409, 2012.
114. M. S. Choi et al., "Lateral MoS2 p n Junction Formed by Chemical Doping for Use in High-Performance Optoelectronics", ACS Nano 8, Bd. 8, p. 9332, 2014.
115. P. Gielisse, S. S. Mitra, J. N. Plendl, R. D. Griffis, L. C. Mansur, R. Marshall und E. A. Pascoe, "Lattice Infrared Spectra of Boron Nitride and Boron Monophosphide", Phys. Rev., Bd. 155, p. 1039, 1967.
116. Bergmann und Schäfer, "Lehrbuch der Experimentalphysik Band 6, Festkörperphysik", Berlin, New York: Walter de Gruyter, 2005.
117. G. D. Scholes, G. R. Fleming, A. Olaya-Castro und R. van Grondelle, "Lessons from Nature about Solar Light Harvesting", Nat. Chem., Bd. 3, p. 763, 2011.
118. V. Nicolosi, M. Chhowalla, M. G. Kanatzidis, M. S. Strano und J. N. Coleman, "Liquid Exfoliation of Layered Materials", Science , Bd. 340, p. 1420, 2013.
119. T. Korn, S. Heydrich, M. Hirmer, J. Schmutzler und C. Schüller, "Low-temperature photocarrier dynamics in monolayer MoS2", Appl. Phys. Lett., Bd. 99, p. 102109, 2011.
120. G. Aivazian, Z. Gong, A. M. Jones, R. Chu, J. Yan und D. G. Mandrus, "Magnetic control of valley pseudospin in monolayer WSe2", Nature 11, 148-152 (2015), Bd. 11, p. 148, 2015.
121. Z. Gong, G. Liu, H. Yu, D. Xiao, X. Cui, X. Xu und W. Yao, "Magnetoelectric effects and valley-controlles spin quantum gates in transition metal dichalcogenides bilayers", Nat. Commun., Bd. 4, 2013.
122. A. A. Mitioglu, K. Galkowski, A. Surrente, L. Klopotowski, D. Dumcenco, A. Kis, D. K. Maude und P. Plochocka, "Magnetoexcitons in large area CVD-grown monolayer MoS2 and MoSe2 on sapphire", Physical review B, Bd. 93, p. 165412, 2016.
123. W. Liu und J. T. Groves, "Manganese Catalyzed C-H Halogenation", Acc. Chem. Res. , Bd. 48, p. 1727, 2015.
124. Y. Li, A. Chernikov, X. Zhang, A. Rigosi, H. Hill, A. v. d. Zamde, D. Chenet, E. Shih, J. Hone und T. F. Heinz, "Measurement of the optival dielectric function of monolayer transition-metal dichalcogenides: MoS2, MoSe2, WS2 and WSe2", Phys. Rev. B, Bd. 90, p. 205422, 2014.
125. A. Castellanos-Gomez, M.-. Poot, G. Stelle, H. v. d. Zant, N. Agrait und G. Rubio-Bollinger, "Mechanical properties of freely suspended semiconducting graphene-like layers based on MoS2", Nanoscale Res. Lett., Bd. 7, p. 1, 2012.
126. M. W. Grinstaff, M. G. Hill, J. A. Labinger und H. B. Gray, "Mechanism of Catalytic Oxygenation of Alkanes by Halogenated Iron Porphyrins", Science , Bd. 264, p. 1311, 1994.
127. E. C. Constable, "Mercury.", Coord. Chem. Rev., Bd. 58, p. 53, 1984.
128. M. A. K. Khan und F. Wang, "Mercury-selenium compounds and their toxicological significance: toward a molecular understanding of the mercury-selenium antagonism.", Environ. Toxicol. Chem., Bd. 28, p. 1567, 2009.
129. M. Urbani, M. Grätzel, M. K. Nazeeruddin und T. Torres, "Meso-Substituted Porphyrins for Dye- Sensitized Solar Cells", Chem. Rev. , Bd. 114, p. 12330, 2014.
130. I. Chung und M. G. Kanatzidis, "Metal Chalcogenides: A Rich Source of Nonlinear Optical Materials", Chem. Mater. , Bd. 26, p. 849, 2014.
131. C.-M. Che und J.-S. Huang, "Metalloporphyrin-Based Oxidation Systems: From Biomimetic Reactions to Application in Organic Synthesis", Chem. Commun. , p. 3996, 2009.
132. M. V. Reddy, G. V. S. Rao und B. V. R. Chowdari, "Metal Oxides and Oxysalts as Anode Materials for Li Ion Batteries.", Chem. Rev., Bd. 113, p. 5364, 2013.
133. N. Zheng, X. Bu, B. Wang und P. Feng, "Microporous and photoluminescent chalcogenide zeolite analogs", Science, Bd. 298, p. 2366, 2002.
134. Y. Park und M. G. Kanatzidis, "Molten Salt Synthesis of Low-Dimensional Ternary Chalcogenides. Novel Structure Types in the K/Hg/Q System (Q = S, Se).", Chem. Mater., Bd. 2, p. 99, 1990.
135. T. Wu, Q. Zhang, Y. Hou, L. Wang, C. Mao, S.-T. Zheng, X. Bu und P. Feng, "Monocopper Doping in Cd- In-S Supertetrahedral Nanocluster via Two-Step Strategy and Enhanced Photoelectric Response.", J. Am. Chem. Soc., Bd. 135, p. 10250, 2013.
136. S. V. Kershaw, A. S. Susha und A. L. Rogach, "Narrow bandgap colloidal metal chalcogenide quantum dots: synthetic methods, heterostructures, assemblies, electronic and infrared optical properties.", Chem. Soc. Rev., Bd. 42, p. 3033, 2013.
137. B. Nath, W.-H. Li, J.-H. Huang, G.-E. Wang, Z.-h. Fu, M.-S. Yao und G. Xu, "New Azodioxy-Linked Porphyrin-Based Semiconductive Covalent Organic Framework with I2 Doping-Enhanced Photoconductivity", CrystEngComm 2016, 18, 4259-4263, Bd. 18, p. 4259, 2016.
138. S. Mouri, Y. Miyauchi, M. Toh, W. Zhao, G. Eda und K. Matsuda, " Nonlinear photoluminescence in atomically thin layered WSe2 arising from diffusion-assisted exciton exciton annihilation", Phys. Rev. B, Bd. 90, p. 155449, 2014.
139. B. Scheibe, S. Lippert, S. S. Rudel, M. R. Buchner, O. Burghaus, C. Pietzonka, M. Koch, A. J. Karttunen, F. Kraus, "NOUF 6 Revisited: A Comprehensive Study of a Hexafluoridouranate(V) Salt", Chem. Eur. J, 22, 12145 (2016)
140. Y. You, X. Zhang, T. C. Berkelbach, M. S. Hybertsen, D. R. Reichman und T. F. Heinz, "Observation of biexcitons in monolayer WSe2", Nat. Phys., Bd. 11, p. 477, 2015.
141. K. Kheng, R. Cox, M. d'Aubigné, F. Bassani, K. Saminadayar und S. Tatarenko, "Observation of negatively charged excitons X in semiconductor quantum wells", Phys. Rev. Lett. , Bd. 71, p. 1752, 1993.
142. D. Sun, Y. Rao, G. Reider, G. Chen, Y. You, L. Brézin, A. Harutyunyan und T. Heinz, "Observation of rapid exciton-exciton annihilation in monolayer molybdenum disulfide", Nano Lett. , Bd. 14, p. 5625, 2014.
143. M. Kertesz und R. Hoffmann, "Octahedral vs. triagonal-prosmatic coordination and clustering in transition-metal dichalcogenides", J. Am: Chem. Soc., Bd. 106, p. 3453, 1984.
144. S. M. Islam, K. S. Subrahmanyam, C. D. Malliakas und M. G. Kanatzidis, "One-Dimensional Molybdenum Thiochlorides and Their Use in High Surface Area MoSx Chalcogels.", Chem. Mater., Bd. 26, p. 5151, 2014.
145. D. Jahn, S. Lippert, M. Bisi, L. Oberto, J.C. Balzer and M. Koch, "On the Influence of Delay Line Uncertainty in THz Time-Domain Spectroscopy", J. Infrared milli Terahertz Waves, 37, 051908 (2016)
146. G. Lucovsky, "On the photoionization of deep impurity centers in semiconductors", Solid State Communications, Bd. 3, p. 299, 1965.
147. S. I. Boldish und W. B. White, "Optical Band Gaps of Selected Ternary Sulfide Minerals", Am. Mineral. , Bd. 83, p. 865, 1998.
148. A. M. Jones et al., " Optical generation of excitonic valley coherence in monolayer WSe2", Nat. Nanotech., Bd. 8, p. 634, 2013.
149. A. Mitioglu, P. Plochocka, Á. G. d. Aguila, P. Christianen, G. Deligeorgis, S. Anghel, L. Kulyuk und D. Maude, "Optical investigation of monolayer and bulk tungsten diselenide (WSe2 ) in high magnetic fields", Nano Lett. , Bd. 15, p. 4387, 2015.
150. F. Meier und B. Zakharchenya, "Optical Orientation", Amsterdam: Elsevier, 2012.
151. C. Ruppert, O. Aslan und T.F. Heinz, "Optical properties and band gap of single-and few-layer MoTe crystals", Nano Lett., Bd. 14, p. 6231, 2014.
152. H. Liu, C. Shen, S. Su, C. Hsu, M. Li und L. Li, "Optical properties of monolayer transition metal dichalcogenides probed by spectroscopic ellipsometry", Appl. Phsy. Lett., Bd. 105, p. 201905, 2014.
153. H. R. Philipp, "Optical properties of silicon nitride", J. Electrochim. Soc., Bd. 120, p. 295, 1973.
154. H. Zeng, G. Liu, J. Dai, Y. Yan, B. Zhu, R. He, L. Xie, S. Xu, X. Chen, W. Yao und X. Cui, "Optical signature of symmetry variations and spin-valley coupliung in atomically thin tungsten dichalcogenides", Sci. Rep., Bd. 3, 2013.
155. D. Qiu, F. d. Jornada und S. Louie, " Optical spectrum of MoS : many-body effects and diversity of exciton states", Phys. Rev. Lett, Bd. 111, p. 216805, 2013.
156. C. Chang, X. Fam, S. Lin und J. Kuo, "Orbital analysis of electronic structure and phonon dispersion in MoS , MoSe , WS , and WSe monolayers under strain", Phys. Rev. B, Bd. 88, p. 195420, 2013.
157. I. Brener, M. Olszakier, E. Cohen, E. Ehrenfreund, A. Ron und L. Pfeiffer, "Particle localization and phonon sidebands in GaAs/AlxGa1-x As multiple quantum wells", Phys. Rev., Bd. 46, p. 7927, 1992.
158. T. Tinoco, C. Rincón, M. Quintero und G. S. Pérez, "Phase Diagram and Optical Energy Gaps for CuInyGa1-ySe2 Alloys", Phys. Stat. Sol. , Bd. 124a, p. 427, 1991.
159. T. Wu, X. Bu, X. Zhao, R. Khazhakyan und P. Feng, "Phase selection and site-selective distribution by tin and sulfur in supertetrahedral zinc gallium selenides", Journal of the American Chemical Society, Bd. 133, p. 9616, 2011.
160. A. Banerjee, B. D. Yuhas, E. A. Margulies, Y. Zhang, Y. Shim, M. Wasielewski und M. G. Kanatzidis, "Photochemical Nitrogen Conversion to Ammonia in Ambient Conditions with FeMoS-Chalcogels", J. Am. Chem. Soc. , Bd. 137, p. 2030, 2015.
161. T. Nakanishi, T. Kojima, K. Ohkubo, T. Hasobe, K.-i. Nakayama und S. Fukuzumi, "Photoconductivity of Porphyrin Nanochannels Composed of Diprotonated Porphyrin Dications with Saddle Distortion and Electron Donors", Chem. Mater. , Bd. 20, p. 7492, 2008.
162. A. D. Schwab, D. E. Smith, B. Bond-Watts, D. E. Johnston, J. Hone, A. T. Johnson, J. C. de Paula und W. F. Smith, "Photoconductivity of Self-Assembled Porphyrin Nanorods", Nano Lett., Bd. 4, p. 1261, 2004.
163. R. Bube, "Photoelectric properties of semiconductors", Camebridge: Camebridge University Press, 1992.
164. L. A. King, W. Zhao, M. Chhowalla, D. J. Riley und G. Eda, "Photoelectrochemical properties of chemically exfoliated MoS2", J. Mater. Chem. A, Bd. 1, p. 8935, 2013.
165. H. G. Grimmeiss und L. -A. Ledebo, "Photo-ionization of deep impurity levels in semiconductors with non-parabolic bands", Journal of Physics C: Solid State Physics, Bd. 8, 1975.
166. P. Tonndorf et al., "Photoluminescence emission and Raman response of monolayer MoS2, MoSe2 , and WSe2 ," Opts. Exp., Bd. 21, p. 4908, 2013.
167. G. Eda, H. Yamaguchi, D. Voiry, T. Fujita, M. Chen und M. Chhowalla, "Photoluminescence from Chemically Exfoliated MoS2", Nano Lett., Bd. 11, p. 5116, 2011.
168. N. Scheuschner, O. Ochedowski, A. Kaulitz, R. Gillen, M. Schleberger und J. Maultzsch, "Photoluminescence of freestanding single-and few-layer MoS", Phys. Rev. B , Bd. 89, p. 125406, 2014.
169. T. Yan, X. Qiao, X. Liu, P. Tan und X. Zhang, "Photoluminescence properties and exciton dynamics in monolayer WSe2", Appl. Phys. Lett., Bd. 105, p. 101901, 2014.
170. M. Shin, D. Kim und D. Lim, "Photoluminescence saturation and exciton decay dynamics in transition metal dichalcogenide monolayers", J. Korean Phys. Soc , Bd. 65, p. 2077, 2014.
171. K. F. Mak und J. Shan, "Photonics and optoelectronics of 2D semiconductor transition metal dichalcogenides", Nat. Photonics , Bd. 10, p. 216, 2016.
172. M. Massicotte, P. Schmidt, F. Vialla, K. Watanabe, T. Taniguchi, K. J. Tielrooij und F. H. L. Koppens, "Photo-thermionic effect in vertical graphene heterostructures", Nat. Comms, Bd. 7, p. 12174, 2016.
173. D. Dolphin, T. G. Traylor und L. Y. Xie, "Polyhaloporphyrins: Unusual Ligands for Metals and Metal- Catalyzed Oxidations", Acc. Chem. Res. , Bd. 30, p. 251, 1997.
174. A. Chernikov, C. Ruppert, H. M. Hill, A. F. Rigosi und T. F. Heinz, "Population inversion and giant bandgap renormalization in atomically thin WS2 layers", Nat. Photonics, Bd. 9, p. 4664, 2015.
175. M. Zhao, S. Ou und C.-D. Wu, "Porous Metal-Organic Frameworks for Heterogeneous Biomimetic Catalysis", Acc. Chem. Res. , Bd. 47, p. 1199, 2014.
176. H. Imahori und S. Fukuzumi, "Porphyrin-and Fullerene-Based Molecular Photovoltaic Devices", Adv. Funct. Mater. , Bd. 14, p. 525, 2004.
177. R. Purrello, S. Gurrieri und R. Lauceri, "Porphyrin Assemblies as Chemical Sensors", Coord. Chem. Rev., Bd. 683, p. 190-192, 1999.
178. J. Kesters, P. Verstappen, M. Kelchtermans, L. Lutsen, D. Vanderzande und W. Maes, "Porphyrin-Based Bulk Heterojunction Organic Photovoltaics: The Rise of the Colors of Life", Adv. Energy Mater. 2015, 5, 1500218, Bd. 5, p. 1500218, 2015.
179. S. Ishihara, J. Labuta, W. Van Rossom, D. Ishikawa, K. Minami, J. P. Hill und K. Ariga, "Porphyrin-Based Sensor Nanoarchitectonics in Diverse Physical Detection Modes", Phys. Chem. Chem. Phys. , Bd. 16, p. 9713, 2014.
180. B. Hoffmann und J. Ibers, "Porphyrinic Molecular Metals", Acc. Chem. Res., Bd. 16, p. 15, 1983.
181. R. Harada und T. Kojima, "Porphyrin Nanochannel: Formation of Cationic Channels by a Protonated Saddle-Distorted Porphyrin and its Inclusion Behavior", Chem. Commun., p. 715, 2005.
182. T. Ishizuka, M. Sankar, Y. Yamada, S. Fukuzumi und T. Kojima, "Porphyrin Nanochannels Reinforced by Hydrogen Bonding", Chem. Commun., Bd. 48, p. 6481, 2012.
183. T. Higashino und H. Imahori, "Porphyrins as Excellent Dyes for Dye-Sensitized Solar Cells: Recent Developments and Insights", Dalton Trans. 2, Bd. 44, p. 448, 2015.
184. M. Jurow, A. E. Schuckman, J. D. Batteas und C. M. Drain, "Porphyrins as Molecular Electronic Components of Functional Devices", Coord. Chem. Rev. , Bd. 254, p. 2297, 2010.
185. W. Auwärter, D. Écija, F. Klappenberger und J. V. Barth, "Porphyrins at Interfaces", Nat. Chem. 2015, Bd. 7, p. 105, 2015.
186. L.-L. Li und E. W.-G. Diau, "Porphyrin-Sensitized Solar Cells", Chem. Soc. Rev. 2013, 42, 291-304, Bd. 42, p. 291, 2013.
187. K. Dolui, I. Rungger, C. Pemmaralu und S. Sanvito, "Possible doping strategies for MoS2 monolayers: an ab initio study," Phys. Rev. B, Bd. 88, p. 075420, 2013.
188. H. Li, J. Wu, Z. Yin und H. Zhang, " Preparation and Applications of Mechanically Exfoliated Single- Layer and Multilayer MoS2 and WSe2 Nanosheet", Acc. Chem. Res. , Bd. 47, p. 1067, 2014.
189. Z. Ye, T. Cao, K. O'Brien, H. Zhu, X. Yin, Y. Wang, S. Louie und X. Zhang, "Probing excitonic dark states in single-layer tungsten disulphide", Nature, Bd. 513, p. 214, 2014.
190. A. F. Rigosi, H. M. Hill, Y. Li, A. Chernikov und T. F. Heinz, "Probing Interlayer Interactions in Transition Metal Dichalcogenide Heterostructures by Optical Spectroscopy: MoS2/WS2 and MoSe2 /WSe2", Nano Lett., Bd. 15, pp. 486-491, 2015.
191. A. Stier, N. Wilson, G. Clark, X. Xu und S. Crooker, "Probing the Influence of Dielectric Environment on Excitons in Monolayer WSe2: Insight from High Magnetic Fields", Nano Lett., Bd. 11, p. 7054, 2016.
192. J. Huang, T. Hoang und M. H. Mikkelsen, "Probing the origin of excitonic states in monolayer WSe2", Scientific Reports, Bd. 6, p. 22414, 2016.
193. S. Z. Butler et al., " Progress, Challenges, and Opportunities in Two-Dimensional Materials Beyond Graphene", ACS Nano., Bd. 7, p. 2898, 2013.
194. M. K. L. Man, S. Deckoff-Jones, A. Winchester, G. Shi, G. Gupta, A. D. Mohite, S. Kar, E. Kioupakis, S. Talapatra und K. M. Dani, "Protecting the properties of monolayer MoS2 on silicon based substrates with an atomically thin buffer", Scientific Reports, Bd. 6, p. 20890, 2016.
195. J. L. Sessler, S. Camiolo und P. A. Gale, "Pyrrolic and Polypyrrolic Anion Binding Agents", Coord. Chem. Rev. , Bd. 240, p. 17, 2003.
196. T. Cheiwchanchamnangij und W. Lambrecht, " Quasiparticle band structure calculation of monolayer, bilayer, and bulk MoS2", Phys. Rev. B , Bd. 85, p. 205302, 2012.
197. S. Sandoval, D. Yang, R. Frindt und J. Irwin, "Raman study and lattice dynamics of single molecular layers of MoS2," Phys. Rev. B, Bd. 44, p. 3955, 1991.
198. H. Li, J. Wu, X. Huang, G. Lu, J. Yang, X. Lu, Q. Xiong und H. Zhang, "Rapid and Reliable Thickness Identification of Two-Dimensional Nanosheets Using Optical Microscopy", ACS Nano, Bd. 7, p. 10344- 10353, 2013.
199. L. Iordanidis und M. G. Kanatzidis, "Redox-Induced "Zipper" Action in the Solid State. Unprecedented Single-Crystal to Single-Crystal to Single-Crystal Cascade Conversions in Cs3Bi7Se12. Framework Evolution from 2D to 2D′ to 3D", Synthesis, Bd. 119, p. 1927, 2000.
200. I. Malitson und M. Dodge, "Refractive Index and Birefringence of SyntheticSapphire", J. Opt. Soc. Am., Bd. 62, p. 1405A, 1972.
201. L. Gao, F. Lemarchand und M. Lequime, "Refractive index determination of SiO2 layer in the UV/Vis/NIR range: spectrophotometric reverse engineering on single and bi-layer designs", J. Europ. Opt. Soc. Rap. Public., Bd. 8, p. 13010, 2013.
202. M. J. Dodge, "Refractive properties of magnesium fluoride", Appl. Optics , Bd. 23, p. 12, 1984.
203. Y. Huang, E. Sutter, N. N. Shi, J. Zheng, T. Yang, D. Englund, H.-J. Gao und P. Sutter, "Reliable Exfoliation of Large-Area High-Quality Flakes of Graphene and Other Two-Dimensional Materials", ACS Nano, Bd. 9, p. 10612-10620, 2015.
204. J. Golden, M. McMillan, R. T. Downs, G. Hystad, I. Goldstein, H. Stein, A. Zimmerman, D. Sverjensky, J. Armstrong und R. Hazen, "Rhenium variations in molybdenite (MoS2): evidence for progressive subsurface ocidation.", Earth Planet Sci. Lett., Bd. 366, p. 1, 2013.
205. J. Brivio, D. Alexander und A. Kis, "Ripples amd layers om ultrathin MoS2 membranes", Nano Lett., Bd. 11, p. 5148, 2011.
206. G. Sallen, L. Bouet, X. Marie, G. Wang, C. Zhu, W. Han, Y. Lu, P. Tan, T. Amand. B. Liu und B. Urbaszek, "Robust optical emission polarization in MoS2 monolayers through selective valley excitation", Phys. Rev. B , Bd. 86, p. 081301, 2012.
207. G. De Luca, A. Romeo und L. M. Scolaro, "Role of Counteranions in Acid-Induced Aggregation of Isomeric Tetrapyridylporphyrins in Organic Solvents", J. Phys. Chem. B, Bd. 109, p. 7149, 2005.
208. L. Chen, B. Liu, A. N. Abbas, Y. Ma, X. Fang, Y. Liu und C. Zhou, "Screw-Dislocation-Driven Growth of Two-Dimensional Few Layer and Pyramid like WSe2 by Sulfur Assisted Chemical Vapor Deposition", ACS Nano, Bd. 8, p. 11543, 2014.
209. N. Ding und M. G. Kanatzidis, "Selective incarceration of caesium ions by Venus flytrap action of a flexible framework sulfide", Nature chemistry, Bd. 2, p. 187, 2010.
210. C. Klingshirn, "Semiconductor Optics", Berlin Heidelberg New York: Springer, 2007.
211. E. Ahmed, J. Beck, J. Daniels, T. Doert, S. J. Eck, A. Heerwig, A. Isaeva, S. Lidin, M. Ruck, W. Schnelle und A. A. Stankowski, "Semiconductor or A One-Dimensional Metal and Superconductor through Tellurium π Stacking.", Angew. Chem., Int. Ed., Bd. 51, p. 8106, 2012.
212. R. Frindt, "Single crystals of MoS2 several molecular layers thick", J. Appl. Phys., Bd. 37, p. 1928, 1966.
213. J. W. Lauher, F. W. Fowler und N. S. Goroff, "Single-crystal-to-single-crystal topochemical polymerizations by design", Accounts of chemical research, Bd. 41, p. 1215, 2008.
214. Y. C. Ou, D. S. Zhi, W. T. Liu, Z. P. Ni und M. L. Tong, "Single-Crystal-to-Single-Crystal Transformation from 1 D Staggered-Sculls Chains to 3 D NbO-Type Metal-Organic Framework through [2+ 2] Photodimerization", Chemistry-A European Journal, Bd. 18, p. 7357, 2012.
215. A. Castellanos-Gomez, R. van Leeuwen, M. Buscema, H. S. J. van der Zant, G. A. Steele und W. Venstra, "Single-Layer MoS2 Mechanical Resonators", Adv. Mater. , Bd. 25, p. 6719, 2013.
216. Y. Lin und S. Dehnen, "[Bmim] 4 [Sn9Se20]: ionothermal synthesis of a selenidostannate with a 3D open-framework structure", Inorganic chemistry, Bd. 50, p. 7913, 2011.
217. H. B. DeVore, "Spectral distribution of photoconductivity", Physical Review, Bd. 102, p. 86, 1956.
218. M. Chiu et al., "Spectroscopic Signatures for Interlayer Coupling in MoS2-WSe2 van der Waals Stacking", ACS Nano, Bd. 8, p. 9649, 2014.
219. J. W. Walker und C. T. Sah, "Spherical-Square-Well Defect-Potential Model for 1-MeV Electron Irradiated Defects in Silicon", Physical Review B, Bd. 8, p. 5597, 1973.
220. X. Xu, W. Yao, D. Xiao und T. Heinz, "Spin and pseudospins in layered transition metal dichalcogenides.", Nat. Phys. , Bd. 10, p. 343, 2014.
221. A. Jones, H. Yu, J. Ross, P. Klement, N. Ghimire, J. Yan, D. Mandrus, W. Yao und X. Xu, "Spin-layer locking effects in optical orientation of exciton spin in bilayer WSe2", Nat. Phys. , Bd. 10, p. 130, 2014.
222. N. Leblanc, M. Allain, N. Mercier und L. Sanguinet, "Stable Photoinduced Separated Charge State in Viologen Halometallates: Some Key Parameters", Cryst. Growth Des. , Bd. 11, p. 2064, 2011.
223. M. Mott, E. Davis und S. Strrt, "States in the gap and recombination in amorphous semiconductors", Philos. Mag., Bd. 32, p. 961, 1975.
224. M. O. Senge, T. P. Forsyth, L. T. Nguyen und K. M. Smith, "Sterically Strained Porphyrins-Influence of Core Protonation and Peripheral Substitution on the Conformation of Tetra-meso-, Octa-ß, and Dodeca-Substituted Porphyrin Dications", Angew. Chem., Int. Ed. Engl., Bd. 33, p. 2485, 1995.
225. J. Feng, X. Qian, C. Huang und J. Li, "Strain-engineered artificial atom as a broad-spectrum solar energy funnel", Nat. Photon., Bd. 6, p. 866, 2012.
226. S. B. Desai, G. Seol, J. S. Kang, H. Fang, C. Battaglia, R. Kapadia, J. W. Ager, J. Guo und A. Javey, "Strain- Induced Indirect to Direct Bandgap Transition in Multilayer WSe2", Nano Lett, Bd. 14, p. 4592−4597, 2014.
227. S. Desai, G. Seol, J. Kang, H. Fang, C. Battaglia, R. Kapadia, J. Ager, J. Guo und A. Javey, "Strain-Induced Indirect to Direct Bandgap Transition in Multilayer WSe2", Nano Lett., Bd. 15, p. 4592, 2014.
228. S. Bertolazzi, J. Brivio und A. Kis, "Streching and breaking of ultrathin MoS2", ACS Nano, Bd. 5, p. 9703, 2011.
229. H. Fang et al., "Strong interlayer coupling in van der Waals heterostructures built from single-layer chalcogenides", PNAS, Bd. 111, p. 6198, 2014.
230. L. Britnell, R. Ribeiro, A. Eckmann, R. Jalil, B. Belle, A. Mishchenko, Y. Kim, R. Gorbachev, T. Georgiou et al., "Strong light-matter interactions in heterostructures of atomically thin films.", Science , Bd. 340, p. 1311, 2013.
231. M. Py und R. Haering, "Structural destabilization induced by lithium intercalation in MoS2 and related compounds", Can. J. Phys., Bd. 61, p. 76, 1983.
232. T. Honda, T. Nakanishi, K. Ohkubo, T. Kojima und S. Fukuzumi, "Structure and Photoinduced Electron Transfer Dynamics of a Series of Hydrogen-Bonded Supramolecular Complexes Composed of Electron Donors and a Saddle-Distorted Diprotonated Porphyrin", J. Am. Chem. Soc., Bd. 132, p. 10155, 2010.
233. S. Mohnani und D. Bonifazi, "Supramolecular Architectures of Porphyrins on Surfaces: The Structural Evolution from 1D to 2D to 3D to Devices", Coord. Chem. Rev. , Bd. 254, p. 2342, 2010.
234. J. M. Gottfried, "Surface Chemistry of Porphyrins and Phthalocyanines", Surf. Sci. Rep. , Bd. 70, p. 259, 2015.
235. H. Marbach, "Surface-Mediated in Situ Metalation of Porphyrins at the Solid-Vacuum Interface", Acc. Chem. Res. , Bd. 48, p. 2649, 2015.
236. K. Biswas, Q. Zhang, I. Chung, J.-H. Song, J. Androulakis, A. J. Freeman und M. G. Kanatzidis, "Synthesis in Ionic Liquids: [Bi2Te2Br](AlCl4), a Direct Gap Semiconductor with a Cationic Framework.", J. Am. Chem. Soc., Bd. 132, p. 14760, 2010.
237. J. Yu, J. Li, W. Zhang und H. Chang, "Synthesis of high quality two-dimensional materials via chemical vapor deposition", Chem. Sci. , Bd. 6, p. 6705, 2015.
238. T. Wu, X. Wang, X. Bu, X. Zhao, L. Wang und P. Feng, "Synthetic Control of Selenide Supertetrahedral Clusters and Three-Dimensional Co-assembly by Charge-Complementary Metal Cations", Angewandte Chemie, Bd. 121, p. 7340, 2009.
239. N. Zheng, X. Bu und P. Feng, "Synthetic design of crystalline inorganic chalcogenides exhibiting fast-ion conductivity", Nature, Bd. 426, p. 428, 2003.
240. M. Thripuranthaka, R. Kashid, C. Rout und D. Late, "Temperature dependent Raman spectroscopy of chemically derived few layer MoS2 and WS2 nanosheets", Applied Phys. Lett. , Bd. 104, p. 081911, 2014.
241. M. Chhowalla, H. Shin, G. Eda, L. Li, K. Loh und H. Zhang, "The chemistry of two-dimensional layered transition metal dichalcogenide nanosheets", Nat. Chem., Bd. 5, p. 263, 2013.
242. M. A. Green, A. Ho-Baillie und H. J. Snaith, "The Emergence of Perovskite Solar Cells", Nat. Photonics 2014, 8, 506, Bd. 8, p. 506, 2014.
243. P. Feng, X. Bu und N. Zheng, "The interface chemistry between chalcogenide clusters and open framework chalcogenides", Accounts of chemical research, Bd. 38, p. 293, 2005.
244. M. Grätzel, "The Light and Shade of Perovskite Solar Cells", Nat. Mater., Bd. 13, p. 838, 2014.
245. R. Frindt, " The Optical Properties of Single Crystals of WSe2 and MoTe2", J. Phys. Chem. Solids , Bd. 24, p. 1107, 1963.
246. T. Berkelbach, M. Hybertsen und D. Reichman, "Theory of neutral and charged excitons in monolayer transition metal dichalcogenides", Phys. Rev. B , Bd. 88, p. 045318, 2013.
247. R. Street, T. Searle und I. Austin, "The photoluminescence properties of glasses in the As-Se system", Philos. Mag, Bd. 30, p. 1181, 1974.
248. K. Ghosh und U. Singisetti, "Thermoelectric transport coefficients in mono-layer MoS2 and WSe2: Role of substrate, interface phonons, plasmon, and dynamic screening", J. Appl. Phys. , Bd. 118, p. 135711, 2015.
249. C. Ruppert, A. Chernikov, H. M. Hill, A. F. Rigosiand und T. F. Heinz, "The Role of Electronic and Phononic Excitation in the Optical Response of Monolayer WS2 after Ultrafast Excitation", Nano Lett., Bd. 17, p. 644, 2017.
250. M. Ethirajan, Y. Chen, P. Joshi und R. K. Pandey, "The Role of Porphyrin Chemistry in Tumor Imaging and Photodynamic Therapy", Chem. Soc. Rev., Bd. 40, p. 340, 2011.
251. N. Mercier, "The Templating Effect and Photochemistry of Viologens in Halometalate Hybrid Crystals", Eur. J. Inorg. Chem. , Bd. 2013, p. 19, 2013.
252. S. El-Mahalawy und B. Evans, "The thermal expansion of 2H-MoS2, 2H-MoSe2 and 2H-WSe2 between 20 and 800° C", Journal of Applied Crystallography, Bd. 9, p. 403-406, 1976.
253. R. Murray und B. Evans, "The thermal expansion of 2H-MoS2 and 2H-WSe2 between 10 and 320 K", Journal of Applied Crystallography, Bd. 12, p. 312-315, 1979.
254. J. Wilson und A. Yoffe, "The transition metal dichalcogenides discussion and interpretation of the observed optical, electrical and structural properties", Adv. Phys., Bd. 18, p. 193, 1969.
255. G. Liu, W. Shan, Y. Yao, W. Yao und D. Xiao, "Three-band tight-binding model for monolayers of group- VIB transition metal dichalcogenides", Phys. Rev. B , Bd. 88, p. 085433, 2013.
256. Z. Zhang, J. Zhang, T. Wu, X. Bu und P. Feng, "Three-dimensional open framework built from Cu− S icosahedral clusters and its photocatalytic property", Journal of the American Chemical Society, Bd. 130, p. 15238, 2008.
257. E. Cappelluti, R. Roldán, J. Silva-Guillén, P. Ordejón und F. Guinea, "Tight-binding model and direct- gap/indirect-gap transition in single-layer and multilayer MoS2", Phys. Rev. B , Bd. 88, p. 075409, 2013.
258. K. He, N. Kumar, L. Zhao, Z. Wang, K. F. Mak, H. Zhao und J. Shan, "Tightly Bound Excitons in Monolayer WSe2", Phys. Rev. Lett. , Bd. 113, p. 026803, 2014.
259. K. Mak, K. He, C. Lee, G. Lee, J. Hone, T. Heinz und J. Shan, "Tightly bound trions in monolayer MoS", Nat. Mater., Bd. 12, p. 207, 2013.
260. A. Ramirez-Torres, V. Turkowski und T. Rahman, "Time-dependent density-matrix functional theory for trion excitations: application to monolayer MoS and other transition-metal dichalcogenides", Phys. Rev. B , Bd. 90, p. 085419, 2014.
261. K. Broch, M. Gerhard, M. Halbich, S. Lippert, V. Belova, M. Koch and F. Schreiber, "Time-resolved photoluminescence spectroscopy of charge transfer states in blends of pentacene and perfluoropentacene", Phys. Stat. Sol. PRL, 1700064 (2017)
262. S. Johnsen, S. C. Peter, S. L. Nguyen, J.-H. Song, H. Jin, A. J. Freemann und M. G. Kanatzidis, "Tl2Hg3Q4 (Q = S, Se, and Te): High-Density, Wide-Band-Gap Semiconductors.", Chem. Mater., Bd. 23, p. 4375, 2011.
263. Q. Cui, F. Ceballos, N. Kumar und H. Zhao, " Transient Absorption Microscopy of Monolayer and Bulk WSe2", ACS Nano , Bd. 8, p. 2970, 2014.
264. N. Zibouche, P. Philipsen, A. Kuc und T. Heine, "Transition-metal dichalcogenide bilayers: Switching materials for spintronic and valleytronic applications", Phys. Rev. B , Bd. 90, p. 125440, 2014.
265. A. Beal, J. Knights und W. Liang, "Transmission spectra of some transition metal dichalcogenides. II. Group-VIA: trigonal prismatic coordination", J Phys. C, Bd. 5, p. 3540, 1972.
266. S. Mouri, Y. Miyauchi und K. Matsuda, "Tunable photoluminescence of monolayer MoS via chemical doping", Nano Lett. , Bd. 13, p. 5944, 2013.
267. P. Johari und V. Shenoy, "Tuning the electronic properties of semiconducting transition metal dichalcogenides by applying mechanical strains", ACS Nano, Bd. 6, p. 5449, 2012.
268. L. Fang, J. Im, C. C. Stoumpos, F. Shi, V. Dravid, M. Leroux, A. J. Freeman, W.-K. Kwok, D. Y. Chung und M. G. Kanatzidis, "Two-Dimensional Mineral [Pb2BiS3][AuTe2]: High-Mobility Charge Carriers in Single-Atom-Thick Layers.", J. Am. Chem. Soc., Bd. 137, p. 2311, 2015.
269. J. N. Coleman et al., " Two-Dimensional Nanosheets Produced by Liquid Exfoliation of Layered Materials", Science , Bd. 331, p. 568, 2011.
270. l. Kolobov und J. Tominaga, "Two-Dimensional Transition-Metal Dichalgonides", Springer, 2016.
271. C. J. Docherty et al., "Ultrafast Transient Terahertz Conductivity of Monolayer MoS2 and WSe2 Grown by Chemical Vapor Depositio", ACS Nano , Bd. 8, p. 11147, 2014.
272. L. B. Josefsen und R. W. Boyle, "Unique Diagnostic and Therapeutic Roles of Porphyrins and Phthalocyanines in Photodynamic Therapy, Imaging and Theranostics", Theranostics , Bd. 2, p. 916, 2012.
273. G. Wang, L. Bouet, D. Lagarde, M. Vidal, A. Balocchi, T. Amand, X. Marie und B. Urbaszek, "Valley dynamics probed through charged and neutral exciton emission in monolayer WSe2", Phys. Rev. B, Bd. 90, p. 075413, 2014.
274. G. Kioseoglou, A. Hanbicki, M. Currie, A. Friedman, D. Gunlycke und B. Jonker, "Valley polarization and intervalley scattering in monolayer MoS2", Appl. Phys. Lett., Bd. 101, p. 221907, 2012.
275. H. Zeng, J. Dai, W. Yao, D. Xiao und X. Cui, "Valley polarization in MoS2 monolayers by optical pumping", Nat. Nanotech. , Bd. 7, p. 490, 2012.
276. T. Cao, G. Wang, W. Han, H. Ye, C. Zhu, J. Shi, Q. Niu, P. Tan, E. Wang, B. Liu und J. Feng, "Valley- selective circular dichroism of monolayer molybdenum disulphide", Nat. Commun., Bd. 3, p. 887, 2013.
277. A. K. Geim und I. V. Grigorieva, "Van der Waals heterostructures.", Nature, Bd. 499, Nr. 7459, pp. 419- 42, 2013.
278. L. Randaccio, S. Geremia, N. Demitri und J. Wuerges, "Vitamin B12: Unique Metalorganic Compounds and the Most Complex Vitamins", Molecules , Bd. 15, p. 3228, 2010.
279. M. P. Coles, "Zinc, cadmium and mercury.", Annu. Rep. Prog. Chem., Sect. A, Bd. 105, p. 269, 2009.
280. H. D. Rad und R. Hoppe, "Zur Kenntnis von Ba[HgS2].", Z. Anorg. Allg. Chem., Bd. 483, p. 18, 1981.
281. H. D. Rad und R. Hoppe, "Zur Kenntnis von Ba2HgS3.", Z. Anorg. Allg. Chem., Bd. 483, p. 7, 1981.

Das Dokument ist im Internet frei zugänglich - Hinweise zu den Nutzungsrechten