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| Titel: | Herstellung und elektronische Eigenschaften hydrogenierter amorpher Siliziumfilme, abgeschieden unter extremen Depositionsbedingungen |
| Autor: | Will, Stephan |
| Veröffentlicht: | 2004 |
| URI: | https://archiv.ub.uni-marburg.de/diss/z1998/0001 |
| URN: | urn:nbn:de:hebis:04-z1998-00012 |
| DOI: | https://doi.org/10.17192/z1998.0001 |
| DDC: | 530 Physik |
| Titel (trans.): | Herstellung und elektronische Eigenschaften hydrogenierter amorpher Siliziumfilme, abgeschieden unter extremen Depositionsbedingungen |
| Publikationsdatum: | 2004-03-16 |
| Lizenz: | https://rightsstatements.org/vocab/InC-NC/1.0/ |
| Schlagwörter: |
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| Dünne Schicht , PECVD-Verfahren, Armorpher Halbleiter , Wasserstoff, Silicium |
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