Epitaxial growth and characterization of dilute nitride based “W”-quantum well heterostructures for laser applications
In this present thesis, the growth by metal organic vapor phase epitaxy (MOVPE) of GaAs-based materials is investigated to shift the emission wavelength to longer wavelengths. This was addressed by incorporating dilute amounts of nitrogen into “W” type-II heterostructures (WQWH). As materials, studi...
Αποθηκεύτηκε σε:
Κύριος συγγραφέας: | |
---|---|
Άλλοι συγγραφείς: | |
Μορφή: | Dissertation |
Γλώσσα: | Αγγλικά |
Έκδοση: |
Philipps-Universität Marburg
2022
|
Θέματα: | |
Διαθέσιμο Online: | Πλήρες κείμενο PDF |
Ετικέτες: |
Προσθήκη ετικέτας
Δεν υπάρχουν, Καταχωρήστε ετικέτα πρώτοι!
|
No references were found for this record.