Epitaxial growth and characterization of dilute nitride based “W”-quantum well heterostructures for laser applications

In this present thesis, the growth by metal organic vapor phase epitaxy (MOVPE) of GaAs-based materials is investigated to shift the emission wavelength to longer wavelengths. This was addressed by incorporating dilute amounts of nitrogen into “W” type-II heterostructures (WQWH). As materials, studi...

Πλήρης περιγραφή

Αποθηκεύτηκε σε:
Λεπτομέρειες βιβλιογραφικής εγγραφής
Κύριος συγγραφέας: Lehr, Jannik
Άλλοι συγγραφείς: Stolz, Wolfgang (Prof. Dr.) (Εισηγητής διατριβής)
Μορφή: Dissertation
Γλώσσα:Αγγλικά
Έκδοση: Philipps-Universität Marburg 2022
Θέματα:
Διαθέσιμο Online:Πλήρες κείμενο PDF
Ετικέτες: Προσθήκη ετικέτας
Δεν υπάρχουν, Καταχωρήστε ετικέτα πρώτοι!