Epitaxial growth and characterization of dilute nitride based “W”-quantum well heterostructures for laser applications
In this present thesis, the growth by metal organic vapor phase epitaxy (MOVPE) of GaAs-based materials is investigated to shift the emission wavelength to longer wavelengths. This was addressed by incorporating dilute amounts of nitrogen into “W” type-II heterostructures (WQWH). As materials, studi...
সংরক্ষণ করুন:
প্রধান লেখক: | |
---|---|
অন্যান্য লেখক: | |
বিন্যাস: | Dissertation |
ভাষা: | ইংরেজি |
প্রকাশিত: |
Philipps-Universität Marburg
2022
|
বিষয়গুলি: | |
অনলাইন ব্যবহার করুন: | পিডিএফ এ সম্পূর্ন পাঠ |
ট্যাগগুলো: |
ট্যাগ যুক্ত করুন
কোনো ট্যাগ নেই, প্রথমজন হিসাবে ট্যাগ করুন!
|
আন্তর্জাল
পিডিএফ এ সম্পূর্ন পাঠডাক সংখ্যা: |
urn:nbn:de:hebis:04-z2022-01098 |
---|---|
প্রকাশনার তারিখ: |
2022-05-05 |
Datum der Annahme: |
2022-03-21 |
Downloads: |
52 (2024), 92 (2023), 44 (2022) |
Lizenz: |
https://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/ |
URL ব্যবহার করুন: |
https://archiv.ub.uni-marburg.de/diss/z2022/0109 https://doi.org/10.17192/z2022.0109 |