Quantitative Scanning Transmission Electron Microscopy for III-V Semiconductor Heterostructures Utilizing Multi-Slice Image Simulations

Quantitative Scanning Transmission Electron Microscopy for III-V Semiconductor Heterostructures Utilizing Multi-Slice Image Simulations

Quantitative STEM can satisfy the demand of modern semiconductor device development for atomically resolved structural information. Thereby, quantitative evaluations can be based on STEM intensities only, a combination of STEM intensities with different methods or a comparison of STEM intensities to...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser: Kükelhan, Pirmin
Beteiligte: Volz, Kerstin (Prof. Dr.) (BetreuerIn (Doktorarbeit))
Format: Dissertation
Sprache:Englisch
Veröffentlicht: Philipps-Universität Marburg 2019
Schlagworte:
Physik
quantitative STEM
Bildsimulationen
Quantitative Rastertransmissionselektronenmikroskopie
Halbleiter
III-V Halbleiter
multi-slice simulations
III-V semiconductors
Elektronenmikroskopie
Physics
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Signatur: urn:nbn:de:hebis:04-z2019-04832
Publikationsdatum: 2019-09-25
Datum der Annahme: 2019-08-22
Downloads: 103 (2024), 172 (2023), 154 (2022), 59 (2021), 38 (2020), 20 (2019)
Lizenz: https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/4.0
Zugangs-URL: https://archiv.ub.uni-marburg.de/diss/z2019/0483
https://doi.org/10.17192/z2019.0483

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