Quantitative Evaluation of the Interfaces in III/V Semiconductors with Scanning Transmission Electron Microscopy

In order to understand the principles of HAADF imaging and also to implement the contrast simulations efficiently and effectively, simulations about HAADF imaging are carried out. The results clearly show that TDS can significantly influence the collected intensity at the detector. In order to in...

Mô tả đầy đủ

Đã lưu trong:
Chi tiết về thư mục
Tác giả chính: Han, Han
Tác giả khác: Volz, Kerstin (Prof. Dr.) (Cố vấn luận án)
Định dạng: Dissertation
Ngôn ngữ:Tiếng Anh
Được phát hành: Philipps-Universität Marburg 2017
Những chủ đề:
Truy cập trực tuyến:Bài toàn văn PDF
Các nhãn: Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!