Quantitative Evaluation of the Interfaces in III/V Semiconductors with Scanning Transmission Electron Microscopy

In order to understand the principles of HAADF imaging and also to implement the contrast simulations efficiently and effectively, simulations about HAADF imaging are carried out. The results clearly show that TDS can significantly influence the collected intensity at the detector. In order to in...

Szczegółowa specyfikacja

Zapisane w:
Opis bibliograficzny
1. autor: Han, Han
Kolejni autorzy: Volz, Kerstin (Prof. Dr.) (Promotor doktoranta)
Format: Dissertation
Język:angielski
Wydane: Philipps-Universität Marburg 2017
Hasła przedmiotowe:
Dostęp online:PDF pełnotekstowe
Etykiety: Dodaj etykietę
Nie ma etykietki, Dołącz pierwszą etykiete!