Quantitative Evaluation of the Interfaces in III/V Semiconductors with Scanning Transmission Electron Microscopy
In order to understand the principles of HAADF imaging and also to implement the contrast simulations efficiently and effectively, simulations about HAADF imaging are carried out. The results clearly show that TDS can significantly influence the collected intensity at the detector. In order to in...
Պահպանված է:
Հիմնական հեղինակ: | |
---|---|
Այլ հեղինակներ: | |
Ձևաչափ: | Dissertation |
Լեզու: | անգլերեն |
Հրապարակվել է: |
Philipps-Universität Marburg
2017
|
Խորագրեր: | |
Առցանց հասանելիություն: | PDF ամբողջական տեքստ |
Ցուցիչներ: |
Ավելացրեք ցուցիչ
Չկան պիտակներ, Եղեք առաջինը, ով նշում է այս գրառումը!
|
No citations were found for this record.