Quantitative Evaluation of the Interfaces in III/V Semiconductors with Scanning Transmission Electron Microscopy

In order to understand the principles of HAADF imaging and also to implement the contrast simulations efficiently and effectively, simulations about HAADF imaging are carried out. The results clearly show that TDS can significantly influence the collected intensity at the detector. In order to in...

Ամբողջական նկարագրություն

Պահպանված է:
Մատենագիտական մանրամասներ
Հիմնական հեղինակ: Han, Han
Այլ հեղինակներ: Volz, Kerstin (Prof. Dr.) (Ատենախոսության խորհրդական)
Ձևաչափ: Dissertation
Լեզու:անգլերեն
Հրապարակվել է: Philipps-Universität Marburg 2017
Խորագրեր:
Առցանց հասանելիություն:PDF ամբողջական տեքստ
Ցուցիչներ: Ավելացրեք ցուցիչ
Չկան պիտակներ, Եղեք առաջինը, ով նշում է այս գրառումը!