Quantitative Evaluation of the Interfaces in III/V Semiconductors with Scanning Transmission Electron Microscopy

In order to understand the principles of HAADF imaging and also to implement the contrast simulations efficiently and effectively, simulations about HAADF imaging are carried out. The results clearly show that TDS can significantly influence the collected intensity at the detector. In order to in...

תיאור מלא

שמור ב:
מידע ביבליוגרפי
מחבר ראשי: Han, Han
מחברים אחרים: Volz, Kerstin (Prof. Dr.) (BetreuerIn (Doktorarbeit))
פורמט: Dissertation
שפה:אנגלית
יצא לאור: Philipps-Universität Marburg 2017
נושאים:
גישה מקוונת:PDF-Volltext
תגים: הוספת תג
אין תגיות, היה/י הראשונ/ה לתייג את הרשומה!