Quantitative Evaluation of the Interfaces in III/V Semiconductors with Scanning Transmission Electron Microscopy
In order to understand the principles of HAADF imaging and also to implement the contrast simulations efficiently and effectively, simulations about HAADF imaging are carried out. The results clearly show that TDS can significantly influence the collected intensity at the detector. In order to in...
שמור ב:
מחבר ראשי: | |
---|---|
מחברים אחרים: | |
פורמט: | Dissertation |
שפה: | אנגלית |
יצא לאור: |
Philipps-Universität Marburg
2017
|
נושאים: | |
גישה מקוונת: | PDF-Volltext |
תגים: |
הוספת תג
אין תגיות, היה/י הראשונ/ה לתייג את הרשומה!
|
No citations were found for this record.