Microstructural Characterization of Dilute N-ContainingSemiconductor Alloys and Heterostructures by ScanningTransmission Electron Microscopy

Für die Realisierung einer hoch effizienten Lichtquelle in den integrierten Schaltkreisen auf Silizium wurden Ga(NAsP)-Quantum-Wells (QWs) in den Multi-Quantum-Well-Heterostrukturen (MQWH) mittels Rastertransmissionselektronenmikroskopie (STEM) untersucht. Die MQWH wurden auf Si (001) mittels der m...

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Main Author: Wegele, Tatjana
Contributors: Volz, Kerstin (Prof. Dr.) (Thesis advisor)
Format: Dissertation
Language:English
Published: Philipps-Universität Marburg 2016
Physik
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Call Number: urn:nbn:de:hebis:04-z2016-04897
Downloads: 69 (2019), 28 (2018), 31 (2017), 11 (2016)
Publication Date: 2016-09-01
License: https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/4.0
Access URL: http://archiv.ub.uni-marburg.de/diss/z2016/0489
https://doi.org/10.17192/z2016.0489