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Lösungsprozessierbare Silazanpräkursoren für Gate-Dielektrika
In der heutigen Displayindustrie werden Transistoren verbaut, deren dielektrische Schichten über energieaufwendige Prozesse wie CVD oder thermische Oxidation hergestellt werden. Alternativ zu den energieaufwendigen Prozessen lassen sich dielektrische Schichten auch über wirtschaftlichere Lösungsproz...
保存先:
| 第一著者: | |
|---|---|
| その他の著者: | |
| フォーマット: | Dissertation |
| 言語: | German |
| 出版事項: |
Philipps-Universität Marburg
2016
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| 主題: | |
| オンライン･アクセス: | PDFフルテキスト |
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インターネット
PDFフルテキスト| 請求記号: |
urn:nbn:de:hebis:04-z2016-04786 |
|---|---|
| 出版日付: |
2016-08-24 |
| Datum der Annahme: |
2016-07-21 |
| Downloads: |
58 (2024), 96 (2023), 232 (2022), 134 (2021), 98 (2020), 102 (2019), 38 (2018) |
| Lizenz: |
https://rightsstatements.org/vocab/InC-NC/1.0/ |
| アクセスURL: |
https://archiv.ub.uni-marburg.de/diss/z2016/0478 https://doi.org/10.17192/z2016.0478 |