Lösungsprozessierbare Silazanpräkursoren für Gate-Dielektrika
In der heutigen Displayindustrie werden Transistoren verbaut, deren dielektrische Schichten über energieaufwendige Prozesse wie CVD oder thermische Oxidation hergestellt werden. Alternativ zu den energieaufwendigen Prozessen lassen sich dielektrische Schichten auch über wirtschaftlichere Lösungsproz...
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1. Verfasser: | |
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Beteiligte: | |
Format: | Dissertation |
Sprache: | Deutsch |
Veröffentlicht: |
Philipps-Universität Marburg
2016
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Schlagworte: | |
Online Zugang: | PDF-Volltext |
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Online
PDF-VolltextSignatur: |
urn:nbn:de:hebis:04-z2016-04786 |
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Publikationsdatum: |
2016-08-24 |
Datum der Annahme: |
2016-07-21 |
Downloads: |
53 (2024), 96 (2023), 232 (2022), 134 (2021), 98 (2020), 102 (2019), 38 (2018) |
Lizenz: |
https://rightsstatements.org/vocab/InC-NC/1.0/ |
Zugangs-URL: |
https://archiv.ub.uni-marburg.de/diss/z2016/0478 https://doi.org/10.17192/z2016.0478 |