Description of Gallium Phosphide Epitaxy Growth by Computational Chemistry
The following research goals were achieved supporting the development of novel III/V semiconductor materials and their integration in optoelectronic devices. (i) For triethylgallane (TEGa), tert-butylphosphine (TBP) and related precursors, the decomposition networks were comprehensively elaborated...
Đã lưu trong:
Tác giả chính: | |
---|---|
Tác giả khác: | |
Định dạng: | Dissertation |
Ngôn ngữ: | Tiếng Anh |
Được phát hành: |
Philipps-Universität Marburg
2015
|
Những chủ đề: | |
Truy cập trực tuyến: | Bài toàn văn PDF |
Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|
Là người đầu tiên ghi lời nhận xét!