Publikationsserver
Description of Gallium Phosphide Epitaxy Growth by Computational Chemistry
The following research goals were achieved supporting the development of novel III/V semiconductor materials and their integration in optoelectronic devices. (i) For triethylgallane (TEGa), tert-butylphosphine (TBP) and related precursors, the decomposition networks were comprehensively elaborated...
Збережено в:
| Автор: | |
|---|---|
| Інші автори: | |
| Формат: | Dissertation |
| Мова: | англійська |
| Опубліковано: |
Philipps-Universität Marburg
2015
|
| Предмети: | |
| Онлайн доступ: | PDF-повний текст |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Будьте першим, хто залишить коментар!