Description of Gallium Phosphide Epitaxy Growth by Computational Chemistry
The following research goals were achieved supporting the development of novel III/V semiconductor materials and their integration in optoelectronic devices. (i) For triethylgallane (TEGa), tert-butylphosphine (TBP) and related precursors, the decomposition networks were comprehensively elaborated...
Сохранить в:
Главный автор: | |
---|---|
Другие авторы: | |
Формат: | Dissertation |
Язык: | английский |
Опубликовано: |
Philipps-Universität Marburg
2015
|
Предметы: | |
Online-ссылка: | PDF-полный текст |
Метки: |
Добавить метку
Нет меток, Требуется 1-ая метка записи!
|
Ваш комментарий будет первым!