Description of Gallium Phosphide Epitaxy Growth by Computational Chemistry

The following research goals were achieved supporting the development of novel III/V semiconductor materials and their integration in optoelectronic devices. (i) For triethylgallane (TEGa), tert-butylphosphine (TBP) and related precursors, the decomposition networks were comprehensively elaborated...

Szczegółowa specyfikacja

Zapisane w:
Opis bibliograficzny
1. autor: Stegmüller, Andreas
Kolejni autorzy: Tonner, Ralf (Prof. Dr.) (Promotor doktoranta)
Format: Dissertation
Język:angielski
Wydane: Philipps-Universität Marburg 2015
Hasła przedmiotowe:
Dostęp online:PDF pełnotekstowe
Etykiety: Dodaj etykietę
Nie ma etykietki, Dołącz pierwszą etykiete!