Description of Gallium Phosphide Epitaxy Growth by Computational Chemistry

The following research goals were achieved supporting the development of novel III/V semiconductor materials and their integration in optoelectronic devices. (i) For triethylgallane (TEGa), tert-butylphosphine (TBP) and related precursors, the decomposition networks were comprehensively elaborated...

Бүрэн тодорхойлолт

-д хадгалсан:
Номзүйн дэлгэрэнгүй
Үндсэн зохиолч: Stegmüller, Andreas
Бусад зохиолчид: Tonner, Ralf (Prof. Dr.) (Дипломын ажлын зөвлөх)
Формат: Dissertation
Хэл сонгох:англи
Хэвлэсэн: Philipps-Universität Marburg 2015
Нөхцлүүд:
Онлайн хандалт:PDF-н бүрэн текст
Шошгууд: Шошго нэмэх
Шошго байхгүй, Энэхүү баримтыг шошголох эхний хүн болох!