Description of Gallium Phosphide Epitaxy Growth by Computational Chemistry

The following research goals were achieved supporting the development of novel III/V semiconductor materials and their integration in optoelectronic devices. (i) For triethylgallane (TEGa), tert-butylphosphine (TBP) and related precursors, the decomposition networks were comprehensively elaborated...

詳細記述

保存先:
書誌詳細
第一著者: Stegmüller, Andreas
その他の著者: Tonner, Ralf (Prof. Dr.) (論文の指導者)
フォーマット: Dissertation
言語:英語
出版事項: Philipps-Universität Marburg 2015
主題:
オンライン・アクセス:PDFフルテキスト
タグ: タグ追加
タグなし, このレコードへの初めてのタグを付けませんか!