Description of Gallium Phosphide Epitaxy Growth by Computational Chemistry
The following research goals were achieved supporting the development of novel III/V semiconductor materials and their integration in optoelectronic devices. (i) For triethylgallane (TEGa), tert-butylphosphine (TBP) and related precursors, the decomposition networks were comprehensively elaborated...
Պահպանված է:
Հիմնական հեղինակ: | |
---|---|
Այլ հեղինակներ: | |
Ձևաչափ: | Dissertation |
Լեզու: | անգլերեն |
Հրապարակվել է: |
Philipps-Universität Marburg
2015
|
Խորագրեր: | |
Առցանց հասանելիություն: | PDF ամբողջական տեքստ |
Ցուցիչներ: |
Ավելացրեք ցուցիչ
Չկան պիտակներ, Եղեք առաջինը, ով նշում է այս գրառումը!
|
Եղիր առաջինը, ով թողնում է մեկնաբանություն!