Description of Gallium Phosphide Epitaxy Growth by Computational Chemistry

Description of Gallium Phosphide Epitaxy Growth by Computational Chemistry

The following research goals were achieved supporting the development of novel III/V semiconductor materials and their integration in optoelectronic devices. (i) For triethylgallane (TEGa), tert-butylphosphine (TBP) and related precursors, the decomposition networks were comprehensively elaborated...

Täydet tiedot

Tallennettuna:
Bibliografiset tiedot
Päätekijä: Stegmüller, Andreas
Muut tekijät: Tonner, Ralf (Prof. Dr.) (BetreuerIn (Doktorarbeit))
Aineistotyyppi: Dissertation
Kieli:englanti
Julkaistu: Philipps-Universität Marburg 2015
Aiheet:
density functional theory
epitaxy
Quantenchemie, Halbleiter
Dichtefunktionalformalismus
reaction mechanism
functionalization
simulation
Chemie, Epitaxie
Chemie
semiconductors
Chemistry & allied sciences
Linkit:PDF-kokoteksti
Tagit: Lisää tagi
Ei tageja, Lisää ensimmäinen tagi!
Lisää ensimmäinen kommentti!
Kirjaudu sisään ensin

Samankaltaisia teoksia