Description of Gallium Phosphide Epitaxy Growth by Computational Chemistry
The following research goals were achieved supporting the development of novel III/V semiconductor materials and their integration in optoelectronic devices. (i) For triethylgallane (TEGa), tert-butylphosphine (TBP) and related precursors, the decomposition networks were comprehensively elaborated...
Uloženo v:
Hlavní autor: | |
---|---|
Další autoři: | |
Médium: | Dissertation |
Jazyk: | angličtina |
Vydáno: |
Philipps-Universität Marburg
2015
|
Témata: | |
On-line přístup: | Plný text ve formátu PDF |
Tagy: |
Přidat tag
Žádné tagy, Buďte první, kdo vytvoří štítek k tomuto záznamu!
|
Buďte první, kdo okomentuje tento záznam!