Description of Gallium Phosphide Epitaxy Growth by Computational Chemistry

The following research goals were achieved supporting the development of novel III/V semiconductor materials and their integration in optoelectronic devices. (i) For triethylgallane (TEGa), tert-butylphosphine (TBP) and related precursors, the decomposition networks were comprehensively elaborated...

Celý popis

Uloženo v:
Podrobná bibliografie
Hlavní autor: Stegmüller, Andreas
Další autoři: Tonner, Ralf (Prof. Dr.) (Vedoucí práce)
Médium: Dissertation
Jazyk:angličtina
Vydáno: Philipps-Universität Marburg 2015
Témata:
On-line přístup:Plný text ve formátu PDF
Tagy: Přidat tag
Žádné tagy, Buďte první, kdo vytvoří štítek k tomuto záznamu!