Description of Gallium Phosphide Epitaxy Growth by Computational Chemistry

The following research goals were achieved supporting the development of novel III/V semiconductor materials and their integration in optoelectronic devices. (i) For triethylgallane (TEGa), tert-butylphosphine (TBP) and related precursors, the decomposition networks were comprehensively elaborated...

وصف كامل

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلف الرئيسي: Stegmüller, Andreas
مؤلفون آخرون: Tonner, Ralf (Prof. Dr.) (مرشد الأطروحة)
التنسيق: Dissertation
اللغة:الإنجليزية
منشور في: Philipps-Universität Marburg 2015
الموضوعات:
الوصول للمادة أونلاين:PDF النص الكامل
الوسوم: إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!