Description of Gallium Phosphide Epitaxy Growth by Computational Chemistry

Description of Gallium Phosphide Epitaxy Growth by Computational Chemistry

The following research goals were achieved supporting the development of novel III/V semiconductor materials and their integration in optoelectronic devices. (i) For triethylgallane (TEGa), tert-butylphosphine (TBP) and related precursors, the decomposition networks were comprehensively elaborated...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser: Stegmüller, Andreas
Beteiligte: Tonner, Ralf (Prof. Dr.) (BetreuerIn (Doktorarbeit))
Format: Dissertation
Sprache:Englisch
Veröffentlicht: Philipps-Universität Marburg 2015
Schlagworte:
density functional theory
epitaxy
Quantenchemie, Halbleiter
Dichtefunktionalformalismus
reaction mechanism
functionalization
simulation
Chemie, Epitaxie
Chemie
semiconductors
Chemistry & allied sciences
Online Zugang:PDF-Volltext
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!

Online

PDF-Volltext

Bestandesangaben von
Signatur: urn:nbn:de:hebis:04-z2015-03833
Publikationsdatum: 2016-02-25
Datum der Annahme: 2015-07-17
Downloads: 77 (2024), 108 (2023), 82 (2022), 33 (2021), 53 (2020), 71 (2019), 38 (2018)
Lizenz: https://rightsstatements.org/vocab/InC-NC/1.0/
Zugangs-URL: https://archiv.ub.uni-marburg.de/diss/z2015/0383
https://doi.org/10.17192/z2015.0383

Ähnliche Einträge