Photoconductive THz emitters and detectors on the basis of InGaAs/InP for terahertz time domain spectroscopy

The topic of the present thesis is the development and investigation of photoconductive semiconductor structures for the opto-electronic generation and detection of terahertz (THz) radiation by the use of femtosecond fiber lasers at emission wavelengths of 1550 nm and 1030 nm. Aside from investigati...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Main Author: Dietz, Roman Jürgen Bruno
Contributors: Koch, Martin (Prof. Dr.) (Thesis advisor)
Format: Dissertation
Language:English
Published: Philipps-Universität Marburg 2015
Physik
Subjects:
Online Access:PDF Full Text
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Table of Contents: Das Thema der vorliegenden Dissertation umfasst die Herstellung und Untersuchung von photoleitenden Halbleiterstrukturen zur opto-elektronischen Erzeugung und Detektion von kohärenter Terahertz (THz) Strahlung unter Verwendung von gepulsten Femtosekunden-Faserlasern mit Zentralwellenlängen von 1550 nm und 1030 nm. Neben der Untersuchung von grundlegenden physikalischen Fragestellungen ergibt sich die Motivation zur Entwicklung derartiger Halbleiterstrukturen aus dem steigenden Bedarf nach kompakten, kosteneffizienten und schnellen THz-Messsystemen. Ziel der durchgeführten Arbeit ist es, durch verbesserte Komponenten und Systeme eine Ausweitung des Anwendungsbereichs der THz-Messtechnik, über wissenschaftliche Anwendung hinaus, auf die industrielle Prozesskontrolle zu ermöglichen.