Nichtlineare optische Spektroskopie an der Galliumphosphid-Silizium(001)-Grenzfläche
In dieser Arbeit wurde die Grenzfläche zwischen Galliumphosphid (GaP) und Silizium(001) (Si), einem polaren, respektive nicht polaren indirekten Halbleiter, mittels nichtlinearer optischer Spektroskopie untersucht. Dabei stand die optische Frequenzverdopplung an der Grenzfläche im Vordergrund. Es ko...
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Päätekijä: | |
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Muut tekijät: | |
Aineistotyyppi: | Dissertation |
Kieli: | saksa |
Julkaistu: |
Philipps-Universität Marburg
2014
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