Hochaufgelöste transmissionselektronenmikroskopische Untersuchungen an Galliumphosphid auf Silizium

Hochaufgelöste transmissionselektronenmikroskopische Untersuchungen an Galliumphosphid auf Silizium

In dieser Arbeit wurden GaP/Si-Heterostrukturen, die mittels MOVPE gewachsen wurden, mit Hilfe verschiedener TEM-Methoden untersucht. Die HAADF-Technik hat sich als geeignete Methode zur Untersuchung der Grenzfläche und Auftreten der APDs auf atomarer Skala erwiesen. Trotz der oft gelobten intuitive...

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Gespeichert in:
Bibliografiske detaljer
Hovedforfatter: Beyer, Andreas
Andre forfattere: Volz, Kerstin (Prof. Dr.) (BetreuerIn (Doktorarbeit))
Format: Dissertation
Sprog:German
Udgivet: Philipps-Universität Marburg 2012
Fag:
Silicon
Physik
Galliumphosphid
Raster-Transmissions-Elektronenmikroskop
Durchstrahlungselektronenmikroskopie
Epitaxie
Galliumphosphide
Scanning transmission electron microscopy
Silicium
Epitaxy
Physics
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Detaljer om beholdninger fra
Klassifikationsnummer: urn:nbn:de:hebis:04-z2012-09054
Publikationsdatum: 2012-10-05
Datum der Annahme: 2012-06-27
Downloads: 78 (2024), 209 (2023), 169 (2022), 148 (2021), 171 (2020), 272 (2019), 195 (2018)
Lizenz: https://rightsstatements.org/vocab/InC-NC/1.0/
Zugangs-URL: https://archiv.ub.uni-marburg.de/diss/z2012/0905
https://doi.org/10.17192/z2012.0905

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