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Hochaufgelöste transmissionselektronenmikroskopische Untersuchungen an Galliumphosphid auf Silizium
In dieser Arbeit wurden GaP/Si-Heterostrukturen, die mittels MOVPE gewachsen wurden, mit Hilfe verschiedener TEM-Methoden untersucht. Die HAADF-Technik hat sich als geeignete Methode zur Untersuchung der Grenzfläche und Auftreten der APDs auf atomarer Skala erwiesen. Trotz der oft gelobten intuitive...
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| Tác giả chính: | |
|---|---|
| Tác giả khác: | |
| Định dạng: | Dissertation |
| Ngôn ngữ: | German |
| Được phát hành: |
Philipps-Universität Marburg
2012
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| Những chủ đề: | |
| Truy cập trực tuyến: | Bài toàn văn PDF |
| Các nhãn: |
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