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Hochaufgelöste transmissionselektronenmikroskopische Untersuchungen an Galliumphosphid auf Silizium
In dieser Arbeit wurden GaP/Si-Heterostrukturen, die mittels MOVPE gewachsen wurden, mit Hilfe verschiedener TEM-Methoden untersucht. Die HAADF-Technik hat sich als geeignete Methode zur Untersuchung der Grenzfläche und Auftreten der APDs auf atomarer Skala erwiesen. Trotz der oft gelobten intuitive...
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| Автор: | |
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| Інші автори: | |
| Формат: | Dissertation |
| Мова: | German |
| Опубліковано: |
Philipps-Universität Marburg
2012
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| Предмети: | |
| Онлайн доступ: | PDF-повний текст |
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