Hochaufgelöste transmissionselektronenmikroskopische Untersuchungen an Galliumphosphid auf Silizium

In dieser Arbeit wurden GaP/Si-Heterostrukturen, die mittels MOVPE gewachsen wurden, mit Hilfe verschiedener TEM-Methoden untersucht. Die HAADF-Technik hat sich als geeignete Methode zur Untersuchung der Grenzfläche und Auftreten der APDs auf atomarer Skala erwiesen. Trotz der oft gelobten intuitive...

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Detaylı Bibliyografya
Yazar: Beyer, Andreas
Diğer Yazarlar: Volz, Kerstin (Prof. Dr.) (Tez danışmanı)
Materyal Türü: Dissertation
Dil:German
Baskı/Yayın Bilgisi: Philipps-Universität Marburg 2012
Konular:
Online Erişim:PDF Tam Metin
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