Hochaufgelöste transmissionselektronenmikroskopische Untersuchungen an Galliumphosphid auf Silizium

Hochaufgelöste transmissionselektronenmikroskopische Untersuchungen an Galliumphosphid auf Silizium

In dieser Arbeit wurden GaP/Si-Heterostrukturen, die mittels MOVPE gewachsen wurden, mit Hilfe verschiedener TEM-Methoden untersucht. Die HAADF-Technik hat sich als geeignete Methode zur Untersuchung der Grenzfläche und Auftreten der APDs auf atomarer Skala erwiesen. Trotz der oft gelobten intuitive...

Full beskrivning

Sparad:
Bibliografiska uppgifter
Huvudupphovsman: Beyer, Andreas
Övriga upphovsmän: Volz, Kerstin (Prof. Dr.) (BetreuerIn (Doktorarbeit))
Materialtyp: Dissertation
Språk:tyska
Publicerad: Philipps-Universität Marburg 2012
Ämnen:
Silicon
Physik
Galliumphosphid
Raster-Transmissions-Elektronenmikroskop
Durchstrahlungselektronenmikroskopie
Epitaxie
Galliumphosphide
Scanning transmission electron microscopy
Silicium
Epitaxy
Physics
Länkar:PDF-fulltext
Taggar: Lägg till en tagg
Inga taggar, Lägg till första taggen!

1. Nichtlineare optische Spektroskopie an der Galliumphosphid-Silizium(001)-Grenzfläche

Liknande verk