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Hochaufgelöste transmissionselektronenmikroskopische Untersuchungen an Galliumphosphid auf Silizium
In dieser Arbeit wurden GaP/Si-Heterostrukturen, die mittels MOVPE gewachsen wurden, mit Hilfe verschiedener TEM-Methoden untersucht. Die HAADF-Technik hat sich als geeignete Methode zur Untersuchung der Grenzfläche und Auftreten der APDs auf atomarer Skala erwiesen. Trotz der oft gelobten intuitive...
Shranjeno v:
| Glavni avtor: | |
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| Drugi avtorji: | |
| Format: | Dissertation |
| Jezik: | German |
| Izdano: |
Philipps-Universität Marburg
2012
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| Teme: | |
| Online dostop: | PDF-Volltext |
| Oznake: |
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