Hochaufgelöste transmissionselektronenmikroskopische Untersuchungen an Galliumphosphid auf Silizium

In dieser Arbeit wurden GaP/Si-Heterostrukturen, die mittels MOVPE gewachsen wurden, mit Hilfe verschiedener TEM-Methoden untersucht. Die HAADF-Technik hat sich als geeignete Methode zur Untersuchung der Grenzfläche und Auftreten der APDs auf atomarer Skala erwiesen. Trotz der oft gelobten intuitive...

Olles dieđut

Furkejuvvon:
Bibliográfalaš dieđut
Váldodahkki: Beyer, Andreas
Eará dahkkit: Volz, Kerstin (Prof. Dr.) (BetreuerIn (Doktorarbeit))
Materiálatiipa: Dissertation
Giella:duiskkagiella
Almmustuhtton: Philipps-Universität Marburg 2012
Fáttát:
Liŋkkat:PDF-ollesdeaksta
Fáddágilkorat: Lasit fáddágilkoriid
Eai fáddágilkorat, Lasit vuosttaš fáddágilkora!