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Hochaufgelöste transmissionselektronenmikroskopische Untersuchungen an Galliumphosphid auf Silizium
In dieser Arbeit wurden GaP/Si-Heterostrukturen, die mittels MOVPE gewachsen wurden, mit Hilfe verschiedener TEM-Methoden untersucht. Die HAADF-Technik hat sich als geeignete Methode zur Untersuchung der Grenzfläche und Auftreten der APDs auf atomarer Skala erwiesen. Trotz der oft gelobten intuitive...
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| Главный автор: | |
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| Другие авторы: | |
| Формат: | Dissertation |
| Язык: | German |
| Опубликовано: |
Philipps-Universität Marburg
2012
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| Предметы: | |
| Online-ссылка: | PDF-полный текст |
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