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Hochaufgelöste transmissionselektronenmikroskopische Untersuchungen an Galliumphosphid auf Silizium
In dieser Arbeit wurden GaP/Si-Heterostrukturen, die mittels MOVPE gewachsen wurden, mit Hilfe verschiedener TEM-Methoden untersucht. Die HAADF-Technik hat sich als geeignete Methode zur Untersuchung der Grenzfläche und Auftreten der APDs auf atomarer Skala erwiesen. Trotz der oft gelobten intuitive...
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| Autor principal: | |
|---|---|
| Outros Autores: | |
| Formato: | Dissertation |
| Idioma: | German |
| Publicado em: |
Philipps-Universität Marburg
2012
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| Assuntos: | |
| Acesso em linha: | Texto Completo em Formato PDF |
| Tags: |
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