Hochaufgelöste transmissionselektronenmikroskopische Untersuchungen an Galliumphosphid auf Silizium

In dieser Arbeit wurden GaP/Si-Heterostrukturen, die mittels MOVPE gewachsen wurden, mit Hilfe verschiedener TEM-Methoden untersucht. Die HAADF-Technik hat sich als geeignete Methode zur Untersuchung der Grenzfläche und Auftreten der APDs auf atomarer Skala erwiesen. Trotz der oft gelobten intuitive...

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Bewaard in:
Bibliografische gegevens
Hoofdauteur: Beyer, Andreas
Andere auteurs: Volz, Kerstin (Prof. Dr.) (Thesis begeleider)
Formaat: Dissertation
Taal:German
Gepubliceerd in: Philipps-Universität Marburg 2012
Onderwerpen:
Online toegang:PDF Full text
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