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Hochaufgelöste transmissionselektronenmikroskopische Untersuchungen an Galliumphosphid auf Silizium
In dieser Arbeit wurden GaP/Si-Heterostrukturen, die mittels MOVPE gewachsen wurden, mit Hilfe verschiedener TEM-Methoden untersucht. Die HAADF-Technik hat sich als geeignete Methode zur Untersuchung der Grenzfläche und Auftreten der APDs auf atomarer Skala erwiesen. Trotz der oft gelobten intuitive...
-д хадгалсан:
| Үндсэн зохиолч: | |
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| Бусад зохиолчид: | |
| Формат: | Dissertation |
| Хэл сонгох: | German |
| Хэвлэсэн: |
Philipps-Universität Marburg
2012
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| Нөхцлүүд: | |
| Онлайн хандалт: | PDF-н бүрэн текст |
| Шошгууд: |
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