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Hochaufgelöste transmissionselektronenmikroskopische Untersuchungen an Galliumphosphid auf Silizium
In dieser Arbeit wurden GaP/Si-Heterostrukturen, die mittels MOVPE gewachsen wurden, mit Hilfe verschiedener TEM-Methoden untersucht. Die HAADF-Technik hat sich als geeignete Methode zur Untersuchung der Grenzfläche und Auftreten der APDs auf atomarer Skala erwiesen. Trotz der oft gelobten intuitive...
保存先:
| 第一著者: | |
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| その他の著者: | |
| フォーマット: | Dissertation |
| 言語: | German |
| 出版事項: |
Philipps-Universität Marburg
2012
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| 主題: | |
| オンライン･アクセス: | PDFフルテキスト |
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