Hochaufgelöste transmissionselektronenmikroskopische Untersuchungen an Galliumphosphid auf Silizium

Hochaufgelöste transmissionselektronenmikroskopische Untersuchungen an Galliumphosphid auf Silizium

In dieser Arbeit wurden GaP/Si-Heterostrukturen, die mittels MOVPE gewachsen wurden, mit Hilfe verschiedener TEM-Methoden untersucht. Die HAADF-Technik hat sich als geeignete Methode zur Untersuchung der Grenzfläche und Auftreten der APDs auf atomarer Skala erwiesen. Trotz der oft gelobten intuitive...

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מידע ביבליוגרפי
מחבר ראשי: Beyer, Andreas
מחברים אחרים: Volz, Kerstin (Prof. Dr.) (BetreuerIn (Doktorarbeit))
פורמט: Dissertation
שפה:German
יצא לאור: Philipps-Universität Marburg 2012
נושאים:
Silicon
Physik
Galliumphosphid
Raster-Transmissions-Elektronenmikroskop
Durchstrahlungselektronenmikroskopie
Epitaxie
Galliumphosphide
Scanning transmission electron microscopy
Silicium
Epitaxy
Physics
גישה מקוונת:PDF-Volltext
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1. Nichtlineare optische Spektroskopie an der Galliumphosphid-Silizium(001)-Grenzfläche

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