Hochaufgelöste transmissionselektronenmikroskopische Untersuchungen an Galliumphosphid auf Silizium
In dieser Arbeit wurden GaP/Si-Heterostrukturen, die mittels MOVPE gewachsen wurden, mit Hilfe verschiedener TEM-Methoden untersucht. Die HAADF-Technik hat sich als geeignete Methode zur Untersuchung der Grenzfläche und Auftreten der APDs auf atomarer Skala erwiesen. Trotz der oft gelobten intuitive...
Enregistré dans:
Auteur principal: | |
---|---|
Autres auteurs: | |
Format: | Dissertation |
Langue: | allemand |
Publié: |
Philipps-Universität Marburg
2012
|
Sujets: | |
Accès en ligne: | Texte intégral en PDF |
Tags: |
Ajouter un tag
Pas de tags, Soyez le premier à ajouter un tag!
|