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Hochaufgelöste transmissionselektronenmikroskopische Untersuchungen an Galliumphosphid auf Silizium
In dieser Arbeit wurden GaP/Si-Heterostrukturen, die mittels MOVPE gewachsen wurden, mit Hilfe verschiedener TEM-Methoden untersucht. Die HAADF-Technik hat sich als geeignete Methode zur Untersuchung der Grenzfläche und Auftreten der APDs auf atomarer Skala erwiesen. Trotz der oft gelobten intuitive...
Tallennettuna:
| Päätekijä: | |
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| Muut tekijät: | |
| Aineistotyyppi: | Dissertation |
| Kieli: | saksa |
| Julkaistu: |
Philipps-Universität Marburg
2012
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| Aiheet: | |
| Linkit: | PDF-kokoteksti |
| Tagit: |
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