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Hochaufgelöste transmissionselektronenmikroskopische Untersuchungen an Galliumphosphid auf Silizium
In dieser Arbeit wurden GaP/Si-Heterostrukturen, die mittels MOVPE gewachsen wurden, mit Hilfe verschiedener TEM-Methoden untersucht. Die HAADF-Technik hat sich als geeignete Methode zur Untersuchung der Grenzfläche und Auftreten der APDs auf atomarer Skala erwiesen. Trotz der oft gelobten intuitive...
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| Κύριος συγγραφέας: | |
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| Άλλοι συγγραφείς: | |
| Μορφή: | Dissertation |
| Γλώσσα: | German |
| Έκδοση: |
Philipps-Universität Marburg
2012
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| Θέματα: | |
| Διαθέσιμο Online: | Πλήρες κείμενο PDF |
| Ετικέτες: |
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