Hochaufgelöste transmissionselektronenmikroskopische Untersuchungen an Galliumphosphid auf Silizium

In dieser Arbeit wurden GaP/Si-Heterostrukturen, die mittels MOVPE gewachsen wurden, mit Hilfe verschiedener TEM-Methoden untersucht. Die HAADF-Technik hat sich als geeignete Methode zur Untersuchung der Grenzfläche und Auftreten der APDs auf atomarer Skala erwiesen. Trotz der oft gelobten intuitive...

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Wedi'i Gadw mewn:
Manylion Llyfryddiaeth
Prif Awdur: Beyer, Andreas
Awduron Eraill: Volz, Kerstin (Prof. Dr.) (Cynghorydd traethodau ymchwil)
Fformat: Dissertation
Iaith:German
Cyhoeddwyd: Philipps-Universität Marburg 2012
Pynciau:
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